【产品】ESD保护高达1800V的低功耗N沟道MOSFET，为电源设计保驾护航
Central Semiconductor公司推出了一款具有特殊ESD保护功能的2N7002型N沟道增强型MOSFET--CEDM7002AE，Vds为60V，Id最大为300mA，其 ESD保护电压高达1800V。该MOSFET芯片具有低导通电阻、低功耗、低栅极电荷、高能效等优点，是专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计和开发的。
CEDM7002AE N沟道增强型MOSFET具有极低的输入/输出电容，输入电容最大值为50pF，输出电容最大值为5.0pF，可减少高速应用的信号衰减和失真，保持信号的完整性。此外，该MOSFET的功耗非常低，容许沟道总功耗仅为100mW，可以满足用户对低功耗电路设计的要求。CEDM7002AE N沟道增强型MOSFET具有宽范围的工作温度：-65℃~+150℃，采用SOT-883L封装，其外观如图1所示，主要应用于负载/电源开关、DC-DC转换器电路及电源管理等领域。
图1：CEDM7002AE芯片封装的外观图
CEDM7002AE的产品特性：
• ESD保护电压高达1800V
• 低导通电阻
• 低功耗100mW
• 低栅极电荷
• 高能效
• 增强电气规格
CEDM7002AE的应用领域：
• 负载/电源开关
• DC-DC转换器电路
• 电源管理
技术顾问：进击的老王
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8235 Lv7. 资深专家 2018-09-21支持 -
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LuckWay Lv8. 研究员 2017-12-28mark一下 -
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自强 Lv7. 资深专家 2017-10-21不错，收藏了。
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