泰科天润新发布1200V SiC MOSFET、2000V SiC单管和650V SiC混合单管新品在慕尼黑上海电子展

森未科技将携新能源领域最新研发产品亮相2024 SNEC国际储能展，邀您共同开启绿色能源新篇章

森未科技将携新能源领域最新研发产品惊艳亮相2024 SNEC ES+第九届国际储能展，共同开启绿色能源新篇章！森未科技自主研发的IGBT/SiC系列产品凭借高品质、高性能、高可靠性的技术优势，已在光伏储能、新能源车等领域中得到广泛应用。

SiC MOSFETs from ROHM Chosen by Lucid for Efficient On-board Charging of Groundbreaking Luxury Electric Vehicle

ROHM has announced that Lucid is using its silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor (SiC MOSFET) in the ground-breaking Lucid Air.

泰科天润即将亮相慕尼黑上海电子展！将首次展出80mΩ SiC MOSFET、650V混合单管等产品

慕尼黑上海电子展将于2023年7月11-13日在国家会展中心（上海）盛大举行。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，泰科天润（展位号：7.2H·A132）即将亮相慕尼黑上海电子展。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

【产品】开关频率超100KHz的SiC三相逆变器模块

flow3xPHASE 0 SiC采用3x BUCK/BOOST拓扑结构，更高的效率和更低的发热量。

【应用】使用TO-247封装SiC MOSFET的光伏升压变换器解决方案，效率达到99.4%

SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用，SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。

【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装

瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。