【产品】采用SOT-23S封装的N沟道MOSFET AM2300，栅极驱动电压1.8V
AM2300是AIT推出的N沟道增强型MOSFET，使用沟槽DMOS技术。这种先进技术使AM2300非常适合高效率、高开关频率的应用；AM2300可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±12V，在环境温度为 25°C时，可以承受的极限漏极连续电流为5A，总功率耗散为1.0W，结温和储存温度范围为-55°C~150°C，适用于手持式仪器、负载开关等的设计中。AM2300采用SOT-23S封装，其引脚分布如图1所示，
图1 AM2300引脚分布
AM2300产品特性
·VDS = 20V, ID = 5A
VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 22mΩ(典型值)
VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 25mΩ(典型值)
VGS = 1.8V时，RDS(ON) = 30mΩ(典型值)
·开关频率高
·1.8V低栅极驱动电压
·高功率和优秀的载流能力
·采用SOT-23S封装
AM2300应用领域
·手持式仪器
·负载开关
AM2300订购信息
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