【产品】100V/40A的N沟道增强型场效应晶体管YJD40G10A，封装为TO-252
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD40G10A，采用TO-252的封装设计，漏源电压为100V，漏极电流为40A(Tc=25℃)，其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS=100V
● ID=40A
● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜20 mohm
● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜26 mohm
● 100% UIS 测试
● 100% ▽VDS 测试
● 型号后缀“Q”表示通过AEC-Q101认证，即YJD40G10AQ是车规级器件
产品特点：
●低RDS（on）和FOM
●极低的开关损耗
●优异的稳定性和均匀性
●快速切换和软恢复
产品应用：
●消费电子电源
●电机控制
●同步整流
●隔离式DC / DC转换器
●逆变器
表1 最大额定值
表2 电气特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由民工翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。
【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。
【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装
扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
【产品】扬杰科技推出的YJJ03G10A型N沟道增强型场效应晶体管，静态漏源导通电阻不超过140mΩ
扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJJ03G10A，采用SOT-23-6L封装，漏源电压最大额定值为110V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过140mΩ（VGS=10V，ID=3A）。产品具有出色的散热封装和低RDS（ON）等特性，结温和存储温度范围均为-55~+150℃，主要用于DC-DC转换器及电源管理功能等领域。
【产品】采用沟槽型中压功率MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管2N7002，漏源电压60V
扬杰科技推出的2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用SOT-23封装，符合RoHS标准。其漏源电压极限值为60V，漏极电流极限值为340mA（@TA=25℃），漏源导通电阻＜3.0ohm@VGS=4.5V，且具有输入电容低、开关速度快、输入/输出漏电流小的特点。
【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A
YJG40G10A为扬杰科技推出的N通道增强型场效应晶体管，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON）。
【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A与友商NMOS SIJA58DP参数性能对比分析
一般NMOS用于同步整流，逆变等电路，在电源上应用广泛，现介绍一款扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A，其功能与Vishay的SIJA58DP相似，本文将针对二者的参数性能进行对比分析。
【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用SOT-23封装，漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±16V。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可高速开关，产品可用于电池保护、负荷开关、电源管理等领域。
电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论