【经验】IGBT功率模块反压高低与其内部驱动电阻大小的关系
VINCOTECH主要产品是各种集成的IGBT模块，当然也有部分mosfet的集成模块。反压是客户始终无法忽略的参数。反压的高低决定了客户使用模块的温升以及规格裕量。而模块内部驱动门极电阻是影响IGBT模块的反压数据的重要参数。下面以Vincotech的690A的E3模块为例，说明驱动电阻与反压的关系。
Vincotech的VINcoDUAL E3模块a0-vx122pa690m7-l750f70x-d3-14（1200V/690A），在同样的电压电流环境下，当外置的驱动电阻参数不一样时，反压的效果是存在差异的。具体如下图1和图2 所示：
图1
如图1，模块外置驱动电阻为5欧姆，CH3为母线电压，储能项目上，在母线900V，通过控制输出负载，电流维持在480A的条件下，驱动关闭时，测试的反压数据是1124V。
图2
如图2，外置驱动电阻为6欧姆，CH3为母线电压，储能项目上，在母线900V，通过控制输出负载，电流维持在480A的条件下，驱动关闭时，测试的反压数据是1061V。
经对比，两图的反压数据相差63V，由此可见，驱动电阻增加了1欧姆，在上诉条件下，反压却是降低了63V。
因此，驱动电阻的大小决定着反压的高低。客户选用模块时，内置+外置的驱动电阻是客户设计驱动回路时必须考虑的两个因数。
当客户选择Vincotech的模块和同行的其它模块做替换测试时，就必须注意内部集成电阻参数。
例如：Vincotech的VINcoDUAL E3（690A）内部集成电阻rg（图3），为0.66欧姆。
图3：VINcoDUAL E3（690A）
而I公司的模块（FF600）的内部集成电阻，为1.2欧姆（图4）。
图4：I公司FF600
当使用同样的驱动外置电阻时，因内部集成电阻的差异，使用在同样条件下，反压数据将会有很大的差异，如果需要同等效果的反压，外置的驱动电阻就需调整。
综上所述，Vincotech的IGBT模块反压与模块内部驱动门极电阻是紧密相关的，驱动的内部集成电阻和外置电阻才是实际应用的驱动回路电阻阻值。
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