【产品】300V/9A的N沟道功率MOSFET P9B30HP2F，采用TO-252AA封装

时间： 2020-05-28 来源：Shindengen

技术问答

P9B30HP2F是SHINDENGEN公司推出的一款高压、高速的N沟道功率MOSFET，其漏源极电压最高可达300V，持续漏极电流可达9A，总耗散功率54W，储存温度-55~150℃，采用TO-252AA封装。实物图和等效电路如下所示：

图1 实物和等效电路

芯片特性如下：

>N沟道

>SMD封装

>高电压

>高速

>低电容

>高雪崩耐久性，高di/dt耐久性

>无铅设计

>符合RoHS标准

参数表格如下所示：

图2 参数表格

尺寸图如下所示：

图3 尺寸图

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