【产品】300V/9A的N沟道功率MOSFET P9B30HP2F,采用TO-252AA封装
P9B30HP2F是SHINDENGEN公司推出的一款高压、高速的N沟道功率MOSFET,其漏源极电压最高可达300V,持续漏极电流可达9A,总耗散功率54W,储存温度-55~150℃,采用TO-252AA封装。实物图和等效电路如下所示:
图1 实物和等效电路
芯片特性如下:
>N沟道
>SMD封装
>高电压
>高速
>低电容
>高雪崩耐久性,高di/dt耐久性
>无铅设计
>符合RoHS标准
参数表格如下所示:
图2 参数表格
尺寸图如下所示:
图3 尺寸图
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