【产品】结壳热阻仅0.25℃/W的晶闸管模块PDT20116、PGH101N8,可使器件用于防浪涌电流电路的设计
KYOCERA(京瓷)公司的可控硅/二极管模块产品具有高品质、高可靠性,至今占据日本市场第一。Kyocera(京瓷)推出的PDT20116、PGH101N8晶闸管模块,具有通态电流较大、耐压性能好的特点,能在高电压、大电流条件下工作,主要应用于商用频率中的整流电路、浪涌电流防止电路等领域。
图1 PDT20116、PGH101N8晶闸管模块的电路图
图2 PDT20116、PGH101N8晶闸管模块的尺寸图
PDT20116、PGH101N8晶闸管模块重复峰值反向电压1600V、800V;在50Hz半正弦波(1脉冲、不重复)条件下,其通态浪涌电流ITSM分别为4000A、2000A,可一定程度地隔离信号干扰,确保了器件的可靠性和安全性,高电流可使器件用于防浪涌电流电路的设计。
PDT20116、PGH101N8晶闸管模块工作结温范围分别为-40℃~+125℃、-40℃~+150℃,存储温度范围均为-40℃~+125℃,相比之下PGH101N8更能承受高温,均符合工业环境温度要求,在超高、低温环境下具有更出色的长期稳定性和安全性,能够满足各种严苛环境下的温度要求。此外,结壳热阻Rth值分别为0.2℃/W 、0.25℃/W,热传导性能好,在大功率系统中,不会因为热损耗过大导致结温过高而损坏芯片。
晶闸管仅在门极承受正向电压的情况下才导通。在VD=6V、IT=1A、TJ=25℃的标准下,PDT20116、PGH101N8晶闸管模块的门极触发电压VGT分别为3V、2.5V,较容易达到触发条件;峰值导通电压VTM最大值分别1.4V、1.15V,相对来说PGH101N8导通压降更低,有利于电路启动;两款产品的开启时间tgt均为6μs,延迟时间td均为2μs(TJ=25℃、VD=2/3VDRM、dIG/dt=0.2A/μs),高速响应,开启时的损耗较低;晶闸管导通后,只有当主回路电流减小到低于维持电流时器件才会关断,当Tj=25℃时,该晶闸管的维持电流IH分别为60mA、100mA,通态损耗较低。
PDT20116、PGH101N8晶闸管模块特点:
·重复峰值反向电压1600V、800V;
·通态浪涌电流分别为4000A、2000A;
·存储温度范围均为-40℃~+125℃
·工作结温范围分别为-40℃~+125℃、-40℃~+150℃;
·结壳热阻分别为0.2℃/W 、0.25℃/W;
·峰值导通电压最大值分别1.4V、1.15V;
·开启时间tgt均为6μs,延迟时间td均为2μs;
PDT20116、PGH101N8晶闸管模块应用领域:
·商用频率中的整流电路
·浪涌电流防止电路
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