【产品】结壳热阻仅0.25℃/W的晶闸管模块PDT20116、PGH101N8，可使器件用于防浪涌电流电路的设计

时间： 2019-02-05 来源：KYOCERA

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KYOCERA(京瓷)公司的可控硅/二极管模块产品具有高品质、高可靠性，至今占据日本市场第一。Kyocera(京瓷)推出的PDT20116、PGH101N8 晶闸管模块，具有通态电流较大、耐压性能好的特点，能在高电压、大电流条件下工作，主要应用于商用频率中的整流电路、浪涌电流防止电路等领域。

图1 PDT20116、PGH101N8晶闸管模块的电路图

图2 PDT20116、PGH101N8晶闸管模块的尺寸图

PDT20116、PGH101N8晶闸管模块重复峰值反向电压1600V、800V；在50Hz半正弦波（1脉冲、不重复）条件下，其通态浪涌电流ITSM分别为4000A、2000A，可一定程度地隔离信号干扰，确保了器件的可靠性和安全性，高电流可使器件用于防浪涌电流电路的设计。

PDT20116、PGH101N8晶闸管模块工作结温范围分别为-40℃~+125℃、-40℃~+150℃,存储温度范围均为-40℃~+125℃，相比之下PGH101N8更能承受高温，均符合工业环境温度要求，在超高、低温环境下具有更出色的长期稳定性和安全性，能够满足各种严苛环境下的温度要求。此外，结壳热阻Rth值分别为0.2℃/W 、0.25℃/W，热传导性能好，在大功率系统中，不会因为热损耗过大导致结温过高而损坏芯片。

晶闸管仅在门极承受正向电压的情况下才导通。在VD=6V、IT=1A、TJ=25℃的标准下，PDT20116、PGH101N8晶闸管模块的门极触发电压VGT分别为3V、2.5V，较容易达到触发条件；峰值导通电压VTM最大值分别1.4V、1.15V，相对来说PGH101N8导通压降更低，有利于电路启动；两款产品的开启时间tgt均为6μs，延迟时间td均为2μs（TJ=25℃、VD=2/3VDRM、dIG/dt=0.2A/μs），高速响应，开启时的损耗较低；晶闸管导通后，只有当主回路电流减小到低于维持电流时器件才会关断，当Tj=25℃时，该晶闸管的维持电流IH分别为60mA、100mA，通态损耗较低。

PDT20116、PGH101N8晶闸管模块特点：

·重复峰值反向电压1600V、800V；

·通态浪涌电流分别为4000A、2000A；

·存储温度范围均为-40℃~+125℃

·工作结温范围分别为-40℃~+125℃、-40℃~+150℃；

·结壳热阻分别为0.2℃/W 、0.25℃/W；

·峰值导通电压最大值分别1.4V、1.15V；

·开启时间tgt均为6μs，延迟时间td均为2μs；

PDT20116、PGH101N8晶闸管模块应用领域：

·商用频率中的整流电路

·浪涌电流防止电路

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思媛 Lv4. 资深工程师 2019-12-09

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