【产品】60V/98A的N沟道功率MOSFET，静态漏源导通电阻最大为3.2mΩ，开关速度快
P98LF6QLK是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET，静态漏源导通电阻最大为3.2mΩ，MOSFET有着较低的导通损耗，能够减少器件发热。结壳热阻Rth(j-c)最大值为0.69℃/W，散热较快，器件总耗散功率最大值为217W，可靠性高，符合AEC-Q101标准，主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。
图1 P98LF6QLK封装尺寸图
最大额定值方面，P98LF6QLK功率MOSFET漏源电压VDSS 为60V，栅源电压VGSS为±20V，连续漏极电流（DC）ID为98A。P98LF6QLK功率MOSFET存储温度范围、沟道温度范围均为-55℃~175℃，具有出色的耐高温、低温性能和极强的环境适应能力。P98LF6QLK功率MOSFET输入电容Ciss典型值为6770pF，可使器件更好满足高速电路设计。此外，器件还拥有高开关速度，其导通延迟时间td（on)典型值为6.7ns，能够满足高频开关电路设计需求。
P98LF6QLK功率MOSFET产品特性：
漏源电压VDSS 为60V
栅源电压VGSS为±20V
连续漏极电流（DC）ID为98A
静态漏源导通电阻最大为3.2mΩ
总耗散功率最大额定值为217W
P98LF6QLK功率MOSFET应用领域：
负载/电源开关
电源转换器电路
DC-DC转换器
电源管理
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