【产品】扬杰科技新推DFN5060封装系列功率MOSFET，采用SGT工艺，有效解决终端尺寸结构限制
在大量的工业和消费类电子应用中，高功率密度的需求日益增加。扬杰科技最新推出的Copper Clip DFN5060封装系列功率MOSFET，采用先进封装工艺，在保留电气和热稳定的同时，有效解决了终端在尺寸结构方面的限制，为越来越多的高功率密度产品设计提供更优的解决方案。
特点优势
•采用SGT工艺，产品内阻低，开关特性优异。
•和传统铝带封装比，Clip封装产品过流能力更强，散热性能更优，SOA范围更宽。
•封装寄生电感低，对高频应用友好。
推荐产品
应用方向
· 高功率DC-DC应用
· 大功率电动工具
· 逆变电源
· PD电源
· 板卡Hot Swap应用
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akshreenf Lv7. 资深专家 2022-03-23学习 -
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zwjiang Lv9. 科学家 2022-03-22学习学习 -
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枫丹白露 Lv7. 资深专家 2022-03-21学习
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用
USB-PD，英文全称为USB Power Delivery，是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。目前为止，我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。本文介绍上海贝岭“功率器件＆电源IC”在PD快充中的应用。
GaN65R240ZT2氮化镓增强型功率MOSFET
描述- 该资料主要介绍了GaN65R240ZT2这款GaN增强型功率MOSFET的产品特性、应用领域和电气特性。该产品具有高开关频率、反向导通能力、零反向恢复损耗等特点，适用于PD充电器、电源适配器、功率因数校正（PFC）、家用电器电机驱动和工业电源等领域。
型号- GAN65R240ZT2
WMO5N50D1B WML5N50D1B 500V 5A 1.35ΩN沟道功率MOSFET
描述- 本文档介绍了Wayon公司生产的WMx5N50D1B系列500V 5A N沟道功率MOSFET。该产品具有低导通电阻和超低栅极电荷，适用于高功率密度和高效率的应用。文档提供了产品的特性、绝对最大额定值、电学特性、动态特性和开关特性等详细信息。
型号- WML5N50D1B,WMO5N50D1B
WMJ35N50DB 500V 35A 0.14ΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的WMJ35N50DB型号的500V 35A N沟道功率MOSFET。该器件属于第一代VDMOS家族，具有低导通电阻和超低栅极电荷，适用于高功率密度和高效率的应用。它具备良好的鲁棒性和符合RoHS标准。
型号- WMJ35N50DB
YJS07NP03A N沟道和P沟道互补功率MOSFET
描述- 本资料介绍了YJS07NP03A型N沟道和P沟道互补功率MOSFET的特性。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高密度单元设计和高速开关等特点。资料提供了绝对最大额定值、电学特性参数、典型性能曲线和应用领域等信息。
型号- YJS07NP03A
WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D 1B 500V 9A 0.68ΩN沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了Wayon公司生产的WMx9N50D1B系列功率MOSFET的特性。这些器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高功率密度和高效能的应用。资料提供了详细的电气特性、热特性、动态特性和开关特性数据，并包含了典型的工作曲线图。
型号- WMK9N50D1B,WMO9N50D1B,WML9N50D1B
WML25N50D 500V 25A 0.2ΩN沟道功率MOSFET
描述- 本文档介绍了Wayon公司生产的WML25N50D型号的MOSFET器件。该器件属于WMOS D系列，具有低导通电阻和超低栅极电荷的特点，适用于高功率密度和高效率的应用。文档提供了详细的电气特性、动态特性、开关特性和典型特性曲线，并包含了绝对最大额定值和应用领域。
型号- WML25N50D
WMJ20N65D1B WML20N65D1B WMK20N65D1B 650V 20A 0.37ΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的WMx20N65D1B系列650V 20A N沟道功率MOSFET。该系列产品采用第一代VDMOS技术，具有低导通电阻和超低栅极电荷，适用于高功率密度和高效率的应用。产品符合RoHS标准，并通过了雪崩测试。
型号- WMJ20N65D1B,WMK20N65D1B,WML20N65D1B
WMPN20N50D1 WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1 500V 20A 0.22ΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的WMx20N50D1系列MOSFET器件。该系列产品采用VDMOS技术，具有低导通电阻和超低栅极电荷，适用于高功率密度和高效率的应用。产品符合RoHS标准，提供多种封装选项。
型号- WMJ20N50D1,WMK20N50D1,WMPN20N50D1,WML20N50D1
WML25N50D1B WMJ25N50D1B 500V 25A 0.21ΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了Wayon公司生产的两款500V 25A N沟道功率MOSFET——WML25N50D1B和WMJ25N50D1B。这些器件具有低导通电阻和超低栅极电荷，适用于高功率密度和高效率的应用。资料提供了绝对最大额定值、电学特性、动态特性和开关特性等详细信息。
型号- WML25N50D1B,WMJ25N50D1B
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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