【应用】可用于保护USB3.0数据传输的ESD防护芯片SE05NRE14GA

时间： 2019-06-14 来源：硕凯电子

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为了实现USB3.0的高速数据传输，USB3.0的控制芯片必须使用更加先进的制程来设计制造，这意味着USB3.0控制芯片集成度更高，数据传输更容易受到静电放电破坏，因此为了实现USB3.0数据的可靠传输，采用静电防护电路可以防止ESD对数据传输路径的干扰。

国内ESD防护芯片设计领先企业硕凯电子推出了可用于保护USB3.0数据传输的ESD防护芯片SE05NRE14GA，该芯片能为USB3.0的正常工作提供良好的ESD防护。SE05NRE14GA是一款超低结电容的四通道瞬态电压抑制二极管，其典型优势是对每个通道结电容小于1pF且具有较低的钳位电压VC=12V，每个通道的I/O引脚可以承受±8KV的接触放电1000次以上，DFN-10L封装适合PCB走线且该芯片的生产符合RoHS标准。

图1 引脚定义

为了优化ESD保护和电路性能，建议采用以下PCB布局指南:

SE05NE14GA GND引脚到PCB GND引脚的走线路径应尽可能短，它可以减少ESD到GND的路径；
连接SE05NE14GA GND到PCB GND引脚的过孔应很宽；
将SE05NE14GA尽可能靠近连接器端口，它可以降低寄生电感，限制静电放电耦合到相邻的线路；
避免在PCB板边缘附布关键信号。

图2 单向TVS二极管伏安特性曲线

图3 SE05NRE14GA在USB3.0接口应用中的引脚连接

SE05NRE14GA的电气特性

高速数据线路瞬态保护：

IEC 61000-4-2(ESD) ±25kV (Air) ±17kV (Contact)

IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50 ns)

电缆放电事件

为高速线路优化的超小型封装(2.5毫米x1.0毫米x0.55毫米)

保护四条数据线

结电容：每个通道0.6pF

低漏电流:0.1μA@VRWM（典型值）

钳位电压：12V

每个I/O引脚可承受超过1000次ESD冲击，接触放电±8kV

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