【产品】600V的N沟道功率MOSFET SLP60R180E7系列,适用于高效开关模式电源

2020-11-05 美浦森
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SLP60R180E7SLF60R180E7美浦森推出的N沟道功率MOSFET,漏源电压最大额定值为600V,连续漏极电流最大额定值为20A(Tc=25℃时),采用TO-220、TO-220F封装,无铅,符合RoHS标准。器件通过100%雪崩测试,具有快速开关特性和增强的dV/dt性能,非常适合应用于高效开关模式电源。


这两款产品采用Maple semi超级结技术,该技术专门为最小化传导损耗,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制。


最大额定值方面,两款产品的脉冲漏极电流为57A,单脉冲雪崩能量为76mJ(IAS=4A、VDD=50V、RG=25Ω、Starting TJ=25°C时),在Tc=25℃条件下的耗散功率为36W,工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃,静态漏源导通电阻的典型值为150mΩ,最大值为180mΩ(@VGS=10V,ID=10A)。

图1  产品图及内部电路图

特点

20A,600V,RDS(on)=180mΩ @VGS=10V

低栅极电荷(典型值30.2nC)

超高耐用性

快速开关特性

100%雪崩测试

增强的dV/dt性能


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