【产品】600V的N沟道功率MOSFET SLP60R180E7系列，适用于高效开关模式电源
SLP60R180E7、SLF60R180E7是美浦森推出的N沟道功率MOSFET，漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流最大额定值为20A（Tc=25℃时），采用TO-220、TO-220F封装，无铅，符合RoHS标准。器件通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和增强的dV/dt性能，非常适合应用于高效开关模式电源。
这两款产品采用Maple semi超级结技术，该技术专门为最小化传导损耗，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制。
最大额定值方面，两款产品的脉冲漏极电流为57A，单脉冲雪崩能量为76mJ（IAS=4A、VDD=50V、RG=25Ω、Starting TJ=25°C时），在Tc=25℃条件下的耗散功率为36W，工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃，静态漏源导通电阻的典型值为150mΩ，最大值为180mΩ(@VGS=10V，ID=10A)。
图1 产品图及内部电路图
特点
20A，600V，RDS(on)=180mΩ @VGS=10V
低栅极电荷（典型值30.2nC）
超高耐用性
快速开关特性
100%雪崩测试
增强的dV/dt性能
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