【产品】600V的N沟道功率MOSFET SLP60R180E7系列，适用于高效开关模式电源

时间： 2020-11-05 来源：美浦森

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

SLP60R180E7、SLF60R180E7是美浦森推出的N沟道功率MOSFET，漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流最大额定值为20A（Tc=25℃时），采用TO-220、TO-220F封装，无铅，符合RoHS标准。器件通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和增强的dV/dt性能，非常适合应用于高效开关模式电源。

这两款产品采用Maple semi超级结技术，该技术专门为最小化传导损耗，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制。

最大额定值方面，两款产品的脉冲漏极电流为57A，单脉冲雪崩能量为76mJ（I_AS=4A、V_DD=50V、R_G=25Ω、Starting T_J=25°C时），在Tc=25℃条件下的耗散功率为36W，工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃，静态漏源导通电阻的典型值为150mΩ，最大值为180mΩ(@V_GS=10V，I_D=10A)。

图1 产品图及内部电路图

特点

20A，600V，R_DS(on)=180mΩ @V_GS=10V

低栅极电荷（典型值30.2nC）

超高耐用性

快速开关特性

100%雪崩测试

增强的dV/dt性能

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由青莲居士翻译自美浦森，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】500V N沟道功率MOSFET SLD840F/SLU840F，有着高耐用性的特性

美浦森的500V N沟道功率MOSFET SLD840F/SLU840F是使用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别设计，可最大程度地减小导通电阻，提供出色的开关性能，并可以在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品适合用于高效开关模式电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

2020-07-18 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】800V/7.0A的N沟道功率MOSFET SLP7N80C、SLF7N80C，典型栅极电荷仅40nC

SLP7N80C、SLF7N80C这两款800V N沟道功率MOSFET，栅极电荷低（典型值仅40nC），开关速度快，最大漏源导通电阻为1.9Ω（@VGS=10V），非常适合低压应用，如便携式和电池供电产品中的DC/DC转换器、电源管理的高效转换应用。

2020-11-30 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】670V/16A/0.41Ω的N沟道功率MOSFET SLP16N65S/SLF16N65S

美浦森推出的SLP16N65S/SLF16N65S是漏源电压670V，连续漏极电流16A的N沟道功率MOSFET。产品使用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。SLP16N65S/SLF16N65S适用于开关模式操作中的AC/DC电源转换。

2020-07-10 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

SLP60R180E7 / SLF60R180E7 600V N-Channel MOSFET

型号- SLP60R180E7,SLF60R180E7

Apr. 2020 - 美浦森 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S，漏源电压650V

美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

2022-10-09 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

SFU4N65E 4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

型号- SFU4N65E

2023/7/19 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC

美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

2022-11-04 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

SFF9N90 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET

型号- SFF9N90

2023/6/28 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C，器件漏源电压高达500V

美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

2022-12-07 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】美浦森600V/12A的N沟道MOSFET SLP12N60C/SLF12N60C，采用平面条纹DMOS技术

美浦森推出的SLP12N60C/SLF12N60C是两款漏源电压高达600V的N沟道MOSFET。采用先进的平面条纹DMOS技术，特别为最小化导通电阻提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

2022-10-11 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

SFW9N90 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET

型号- SFW9N90

2023/12/12 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

MSH060065M1 / MSK060065M1 650V Silicon Carbide Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

型号- MSK060065M1,MSH060065M1

Apr. 2021 - 美浦森 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

SFF10N80 10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

型号- SFF10N80

2023/7/26 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

650V/15A的N沟道MOS管SL15N65CD，导通电阻为238mΩ，可提供卓越的开关性能

SL15N65CD是一款采用Slkor先进的Superjunction MOSFET技术生产的功率MOSFET。这种先进技术经过专门定制，极大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，具有出色的稳定性和可靠性。这使得SL15N65CD非常适合于高效率开关模式电源等应用领域。