【产品】泰高新推氮化镓半桥芯片TTHB100NM，采用8x10 QFN低电感封装，传输延迟50ns

时间： 2022-08-04 来源：泰高

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氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙复合半导体材料，电压耐受能力比传统硅材料高很多，而且不会影响导通电阻性能，因此可以降低导通损耗。此外，GaN产品的开关能效也比硅基晶体管高，从而可以取得非常低的开关损耗。开关频率更高意味着应用电路可以采用尺寸更小的无源器件。

所有这些优点让设计人员能够减少功率变换器的总损耗（减少热量），提高能效。因此，GaN能更好地支持电子产品轻量化，举例来说，与目前随处常见的充电器相比，采用GaN 晶体管的PC机电源适配器更小、更轻。

泰高的首席产品运营官表示：“基于GaN的产品商用已经是功率半导体的下一个攻坚阶段，我们准备好释放这一激动人心的技术潜力。今天，泰高技术发布了合封氮化镓半桥功率芯片的新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源带来突破性的性能。

泰高TTHB100NM登场

半桥电路是电力电子行业的重要基础，广泛应用在智能手机和笔记本充电器，电视，太阳能电池板，数据中心和电动汽车等场景中。面对不断增长的市场，TagoreTech泰高技术新推出了一款集成驱动的合封氮化镓半桥功率芯片TTHB100NM，下面为大家介绍一下这款新品的特点。

泰高推出TTHB100NM是一款集成2颗增强型氮化镓650V 100mΩ氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。

泰高技术TTHB100NM组成的氮化镓半桥，改为一颗器件取代，大大减小适配器初级元件数量和面积。

TTHB100NM是一个100mQ、650V氮化镓半桥，集成驱动电路，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护。芯片内集成了用于高侧的启动电源。器件具有12V~20V的宽电源工作范围。它可以通过具有TTL和/或CMOS阈值的PWM信号（单端或差分）运行。器件封装为低电感8mmx10mmQFN封装。低电感封装的集成驱动器允许在高压和高频中安全运行。

产品功能

●650V氮化镓带有集成驱动器和电平转换的半桥
●TTL和CMOSPWM阈值
●12V至20V供电范围
●50ns传输延迟
●50V/ns dV/dT抗扰度。
●过温、过流和欠压锁定保护
●开关频率高达2MHz，外接电阻控制转换速率以抑制电磁干扰
●低电感的QFN封装

应用
●DC-DC转换逆变器
●手机、笔记本充电器
●LED、电机驱动
●PFC应用（图腾柱和标准）
●高频LLC转换器
●服务器电源或AC-DC电源
●有源钳位反激

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本文由扶摇转载自泰高，原文标题为:采用8x10 QFN低电感封装，Tagore泰高合封氮化镓半桥芯片TTHB100NM问世，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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zwjiang Lv9. 科学家 2022-08-30

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产品型号	品类	Frequency（GHz）	Voltage（V）	Package
TGFE0220D	2通道开关LNA模块	3.3-4.2GHz	5.0V	6x6 QFN

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