【产品】EASII IC推出10A、1200V SiC肖特基二极管XTR1K1210,结温可达+250℃,采用通孔封装
XTR1K1210是EASII IC推出的10A、1200V 4H-SiC肖特基二极管,能够在-60℃至+230℃范围内可靠工作,结温可达+250℃。该二极管的反向恢复电荷为零,非常适合具有最低或无冷却要求的高频和高效率电源系统。XTR1K1210的设计目的是降低系统成本并易于采用。XTR1K1210采用坚固耐用的通孔封装。
特点:
• 反向电压高达1200V
• 可在-60℃至+230℃温度范围内工作
• 正温度系数,便于器件的安全工作和并联使用
• 开关速度极快,且不依赖于温度
• 基本上没有反向或正向恢复
• 坚固耐用的通孔封装
应用:
• 对可靠性至关重要的,汽车,航空航天,井下等应用
• 功率转换器,电机驱动器,开关模式电源,功率因数转换器
订购信息:
绝对最大额定值
备注:超过“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅仅只是应力额定值,不代表器件在这些或任何其他条件下(超出本章节中的规定)的功能,长时间工作在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响器件的可靠性。
电气特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自EASII IC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】可零反向恢复电流的1200V SiC肖特基二极管P3D12005E2,功率耗散120W
派恩杰1200V SiC肖特基二极管P3D12005E2,该肖特基二极管具有超快开关、零反向恢复电流、高频工作等特性,可以提高系统效率、减少对散热器的要求,可广泛用于消费类SMPS、PFC或DC/DC阶段的升压二极管、AC/DC转换器等。
IV1D12030U3–1200V 30A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1D12030U3型号的SiC肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和正向电压系数正温度特性,适用于高频操作和环境温度独立开关行为。其主要应用于太阳能电源提升、逆变器自由轮换二极管、维也纳三相PFC、电动汽车充电桩和开关模式电源等领域。
型号- IV1D12030U3
EASII IC二极管选型表
如下表格提供EASII IC二极管选型,Pin Count:3-8,Reverse voltage Vʀ:>55V,"Forward CurrentIғ:216mA-10A,Operating Temperature:-60℃ to +230℃。
产品型号
|
品类
|
Operating Temperature
|
Forward Current Iғ
|
Reverse voltage Vʀ
|
Operating Junction Temperature Range
|
XTR1N0415-BD
|
二极管
|
-60℃ to +230℃
|
280mA@230℃,Vғ=1.2V
|
>55V
|
-70℃ to +300℃
|
选型表 - EASII IC 立即选型
PB10D065IS SiC肖特基二极管
描述- 该资料介绍了SiC肖特基二极管PB10D065IS的技术规格和应用。它具有低导通损耗、极低的开关损耗和高鲁棒性的特点,适用于服务器、电信、高性能电源转换器(SMPS)和功率因数校正等领域。
型号- PB10D065IS
B1D02120E SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了B1D02120E型号碳化硅肖特基二极管的技术规格和应用。该器件具有低反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关等特点,适用于开关电源(SMPS)、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B1D02120E
HMC10N65K 650V SiC肖特基二极管
描述- HMC10N65K是一款650V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、正向电压正温度系数和温度独立开关行为等特性。该产品适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动、光伏逆变器、风力发电站等领域。
型号- HMC10N65K
P3D12020K2 1200V SiC SBD SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司的P3D12020K2型号1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)。该器件具有高频率操作能力、零反向恢复电流和高浪涌电流等特点,适用于消费级开关电源模块(SMPS)、功率因数校正(PFC)或直流/直流转换器等应用。
型号- P3D12020K2
IV1D12010O2–1200V 10A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1D12010O2型号的SiC肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点,适用于高频操作和环境温度独立开关行为。其主要应用于太阳能功率提升、逆变器自由轮换二极管、维也纳三相PFC、AC/DC转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1D12010O2
【产品】1700V的SiC肖特基二极管WTSD1A25170D,采用TO-247-2封装
WTSD1A25170D是中电国基南方(CETC)推出的1700V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温为175℃,开关不受温度影响。散热器尺寸小,并联使用不会出现热失控,基本没有开关损耗。适用于开关电源,功率因数校正,电机驱动,光伏逆变器,风电站等应用场景。
IV1D12010T2–1200V 10A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1D12010T2型号的SiC肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和正向恢复电压,适用于高频操作和环境温度独立开关行为。它主要用于太阳能功率提升、逆变器自由轮换二极管、Vienna三相PFC、AC/DC转换器和开关模式电源。
型号- IV1D12010T2
P3D06030G2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06030G2。该器件适用于高频率操作,具有超快速开关、零反向恢复电流等特点,符合AEC-Q101标准。它广泛应用于消费级电源管理、功率因数校正(PFC)和直流/直流转换器等领域。
型号- P3D06030G2
IV1D12005O2–1200V 5A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1D12005O2型号的SiC肖特基二极管。该二极管具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和正向恢复电压的特点,适用于高频操作和环境温度独立开关行为。它主要用于太阳能电源提升、逆变器自由轮换二极管、维也纳三相PFC、电动汽车充电桩和开关模式电源等领域。
型号- IV1D12005O2
SiC肖特基二极管应用有哪些?
SiC肖特基二极管由于其优异的电气特性,在现代电子和电力系统中发挥着越来越重要的作用。相比传统硅(Si)器件,SiC肖特基二极管具有更高的工作温度、更低的正向压降和更快的开关速度。这些特点使它们在高效能、高频率和高温环境中的应用成为可能。本文将探讨SiC肖特基二极管的几种关键应用。
IV2D12002P2–1200V 2A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV2D12002P2型号的SiC肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、极快的反向恢复时间、低损耗等特点,适用于太阳能电源提升、逆变器自由轮换二极管、维也纳三相PFC、电动汽车充电桩和开关模式电源等领域。
型号- IV2D12002P2
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论