【产品】采用TMR技术的三轴TMR线性传感器，灵敏度达100mV/V/Oe，支持-40～125 °C宽温工作
TMR2309是多维科技推出的一款三轴TMR线性传感器。该传感器采用隧道磁电阻（TMR）技术，具有超高灵敏度、低的磁滞、极低的本底噪声、超低功耗、优越的温度稳定性以及宽工作电压范围的优点。该传感器的X 轴、Y轴、Z轴在±1Oe拟合条件下，灵敏度典型值均为100mV/V/Oe，磁滞最大值均为0.02Oe。X 轴、Y轴、Z轴的本底噪声在1Hz条件下典型值均为150pt/√Hz。在输出开路情况下工作电流典型值均为0.07mA。该传感器可以在-40～125 °C宽温度范围内正常使用。
三轴TMR2309采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。该传感器芯片无需置位/复位脉冲电路，可以简化电路设计。
三轴TMR2309模组尺寸为：长x宽x高=9.5x9.5x6.0 mm (不含插针)。
产品特性：
■隧道磁电阻（TMR）技术
■超高灵敏度(~100mV/V/Oe)
■极低的本底噪声(150pT/√Hz @1Hz)
■超低功耗
■优越的温度稳定性
■低的磁滞
■宽工作电压范围
■无需置位/复位脉冲电路
典型应用：
■微弱磁场检测
■电流传感器
■位置传感器
■生物医疗
■磁通讯
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