【应用】采用M7晶圆技术的IGBT功率模块助您实现高性能电驱控制器
随着国家对汽车行业节能减排的需求不断增加，电动汽车逐渐成为新能源汽车市场的宠儿。作为电动汽车核心动力的电驱控制器，其技术革新和性能改进一直是受到广泛关注的。图1所示为电动汽车电驱控制器拓扑图：
图1：电驱控制器拓扑图
由图1可以看到，电驱控制器中功率转换单元的核心器件是IGBT模块，通过控制IGBT的通断，实现了动力电池直流电转化为驱动电机转动的交流电。IGBT模块的电气特性和可靠性是决定电驱控制器实现高性能、高可靠性运行的关键因素。
目前，电驱控制器的发展趋势主要是：
• 高集成度，高功率密度
• 低损耗，高效率
• 高可靠性
为满足电驱控制器的发展需求，VINCOTECH推出了新一代的IGBT功率模块——VINcoDUAL E3。
这款功率模块具有以下优势：
1）基于新型SLC和IMB技术，延长了模块的使用寿命
图2：传统技术与新型SLC技术的结构对比
如图2所示，VINcoDUAL E3是一种基于固体覆层技术（SLC）而新开发的封装技术。相对比传统的软硅胶，在IGBT模块内直接灌封树脂使得整个模块具有更为均匀的机械应力分散能力，从而实现更高的功率循环能力，延长模块的寿命。
同时，VINcoDUAL E3模块采用了新型的IMB（绝缘金属基板）将绝缘树脂层与其顶部及底部的铜层直接结合到一起，替换传统方案中的基板焊接层与独立的底板结构，从而实现了更高的热量循环能力、保持更低的热阻、更高的能量密度以及更低的杂散电感。
2）采用最新一代M7晶圆技术，能量密度更高
图3：VINco E3模块与同类产品效率对比
图3所示为VINcoDUAL E3模块与业内同类产品的效率对比试验，由于VINcoDUAL E3模块采用了最新一代M7晶圆技术，其Vcesat比同类产品降低了20%以上，在开关频率低于10kHz时，其导通损耗和开关损耗都低于同类产品，功耗最高可降低20%。
VINcoDUAL E3模块采用新型封装技术以及新一代M7晶圆，显著的降低损耗、提高效率，同时具有更高的功率密度、延长了模块的使用寿命，可以帮助工程师设计出功率更大、能量密度更高、可靠性更好的电驱控制器。
相关技术文档：
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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IGBT RC
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flow 0B
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN（mm）
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ISOLATION
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V23990-K429-A40-PM
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IGBT功率模块
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CIB-KE-NTC
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MiniSKiiP® PIM 3
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1200
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75
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IGBT4
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MiniSKiiP® 3
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16
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