【产品】具有零QRR特性的增强型GaN功率晶体管,最大漏源极耐压值为60V
作为首先推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,宜普电源转换公司(EPC)又推出一款增强型GaN功率半桥晶体管--EPC2102。该氮化镓晶体管在输出电流为18A时的系统效率可达98%,在500kHz时的系统输入电压为42VIN,输出电压为14VOUT。EPC2102采用低电感封装,可在高频段工作,具有高密度引脚,由驱动程序、电感器和输出过滤器组成。
作为一种宽频隙器件,EPC2102氮化镓晶体管与传统的硅晶体管相比具有卓越的传导性能,同时,零QRR的特性也减少了在其在高频应用时的损耗。EPC2102晶体管仅提供电镀锡球晶粒样式,尺寸大小为6.05×2.3mm,最大漏源极耐压为60V,门极开通/关断电压范围为-4V<VGS<6V,25℃时的持续漏极电流为23A,最优温度范围为-40℃到150℃,适用于高频DC-DC转换器等应用。
图1:EPC2102产品示意图
图2:EPC2102典型电路图
EPC2102主要特性:
• 最大漏源极耐压:60V
• 门极开通/关断电压范围:-4V<VGS<6V
• 连续漏极电流,25℃,RθJA=28(Q1),28(Q2)
• Q1ControlFET:23A
• Q2SyncFET:23A
• 最优温度范围:-40℃~150℃
• 源漏极恢复电荷:0
技术顾问:坚栋
相关技术文档:
EPC EPC2102增强型GaN功率晶体管半桥数据手册 详情>>>
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EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管,对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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eGaN FETs and Ics
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Active
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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BGA 0.85 x 1.2
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
用于汽车DC-DC应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介
描述- 本文介绍了eGaN® FETs和ICs在汽车DC-DC转换器中的应用。eGaN®技术提高了48V总线系统的效率,减小了尺寸,并降低了系统成本。与传统的硅MOSFET相比,GaN器件尺寸更小,电容更低,性能更优。文章通过比较GaN和硅MOSFET在效率、成本和散热性能方面的差异,展示了eGaN®技术在汽车电子领域的优势。
型号- EPC9163,EPC9170,EPC9137
【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计
EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。
氮化镓功率管还只能在实验室用吗?
GaN FET目前已经商业化应用了,推荐EPC的GaN FET,典型应用包括手机无线充电、高功率密度电源适配器。如有需要请查看EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南,下载地址:https://www.sekorm.com/doc/64054.html
【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET
相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.2431
现货: 401
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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