【产品】具有零QRR特性的增强型GaN功率晶体管,最大漏源极耐压值为60V

2017-09-15 EPC(世强编辑整理)
氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC 氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC 氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC 氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC

作为首先推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,宜普电源转换公司(EPC)又推出一款增强型GaN功率半桥晶体管--EPC2102。该氮化镓晶体管在输出电流为18A时的系统效率可达98%,在500kHz时的系统输入电压为42VIN,输出电压为14VOUT。EPC2102采用低电感封装,可在高频段工作,具有高密度引脚,由驱动程序、电感器和输出过滤器组成。


作为一种宽频隙器件,EPC2102氮化镓晶体管与传统的硅晶体管相比具有卓越的传导性能,同时,零QRR的特性也减少了在其在高频应用时的损耗。EPC2102晶体管仅提供电镀锡球晶粒样式,尺寸大小为6.05×2.3mm,最大漏源极耐压为60V,门极开通/关断电压范围为-4V<VGS<6V,25℃时的持续漏极电流为23A,最优温度范围为-40℃到150℃,适用于高频DC-DC转换器等应用。



图1:EPC2102产品示意图


图2:EPC2102典型电路图


EPC2102主要特性:

最大漏源极耐压:60V

门极开通/关断电压范围:-4V<VGS<6V

连续漏极电流,25℃,RθJA=28(Q1),28(Q2)

Q1ControlFET:23A

Q2SyncFET:23A

最优温度范围:-40℃~150℃

源漏极恢复电荷:0


技术顾问:坚栋


相关技术文档:

EPC EPC2102增强型GaN功率晶体管半桥数据手册 详情>>>


世强元件电商版权所有,转载请注明来源及链接。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 13

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(13

  • 2020mice Lv7. 资深专家 2018-11-22
    学习了
  • lhbixd1995 Lv7. 资深专家 2018-11-21
    不错
  • 新生物 Lv8. 研究员 2018-11-20
    学习了
  • 幽影2018 Lv5. 技术专家 2018-11-17
    学习了
  • 用户39371689 Lv4. 资深工程师 2018-11-17
    收藏起来 学习
  • 蓝烟 Lv4. 资深工程师 2018-11-14
    很不错。
  • 幸福 Lv7. 资深专家 2018-07-24
    不错
  • 多看 Lv7. 资深专家 2018-01-06
  • Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-01-05
    学习学习
  • 龙轩 Lv4. 资深工程师 2017-11-20
展开更多评论

相关推荐

【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管,能量效率最高可达90%

EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V(连续),驱动电压范围-4V~6V,工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点(POL)转换器等方面。

2018-03-16 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】车规级80V eGaN®FET氮化镓场效应晶体管EPC2214,帮助激光雷达系统看得更清晰

宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管,该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。

2019-05-09 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】尺寸减小达15倍!小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗

EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管,对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升。

2017-07-04 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V

产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)

描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。

型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2017年07月13日  - EPC  - 应用笔记或设计指南 代理服务 技术支持 采购服务

EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)

描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C

2017年07月11日  - EPC  - 应用笔记或设计指南 代理服务 技术支持 采购服务

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

2018-02-26 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。

产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表  -  EPC 立即选型

【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)

描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。

2017年07月12日  - EPC  - 白皮书 代理服务 技术支持 采购服务

用于汽车DC-DC应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

描述- 本文介绍了eGaN® FETs和ICs在汽车DC-DC转换器中的应用。eGaN®技术提高了48V总线系统的效率,减小了尺寸,并降低了系统成本。与传统的硅MOSFET相比,GaN器件尺寸更小,电容更低,性能更优。文章通过比较GaN和硅MOSFET在效率、成本和散热性能方面的差异,展示了eGaN®技术在汽车电子领域的优势。

型号- EPC9163,EPC9170,EPC9137

2022/1/25  - EPC  - 应用笔记或设计指南 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计

EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。

2018-03-02 -  新应用 代理服务 技术支持 采购服务

氮化镓功率管还只能在实验室用吗?

GaN FET目前已经商业化应用了,推荐EPC的GaN FET,典型应用包括手机无线充电、高功率密度电源适配器。如有需要请查看EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南,下载地址:https://www.sekorm.com/doc/64054.html

2017-09-06 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET

相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。

2017-09-03 -  专题合辑 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.2431

现货: 401

品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

价格:

现货: 0

品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

价格:

现货: 0

品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

价格:

现货: 0

品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

价格:

现货: 0

品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

价格:

现货: 0

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥2.6758

现货: 42,184

品牌:EPC

品类:Power Transistor

价格:¥8.3620

现货: 13,165

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥4.8739

现货: 11,741

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥7.0719

现货: 7,706

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,920

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:399

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.5000

现货:3,059

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥26.0000

现货:941

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

最小起订量: 10000 提交需求>

蓝牙射频及通信协议测试

根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面