【产品】LONTEN推出最大漏源导通电阻8.2mΩ的N沟道增强型功率场效应晶体管,100%EAS保证
LONTEN龙腾推出的N沟道增强型功率场效应晶体管LSGC07R082WE,采用了屏蔽栅沟槽DMOS技术。经过特别定制,该项先进技术可最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。器件可广泛应用于高效率的快速开关应用。
产品特点
70V,67A,RDS(on)max=8.2mΩ@VGS=10V
改进的dv/dt能力
快速切换
100%EAS保证
绿色环保
应用
电机驱动
不间断电源
DC-DC转换器
绝对最大额定值(Tc=25℃,除非另有说明)
热特性
封装标识和订购信息
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
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