【产品】LONTEN推出最大漏源导通电阻8.2mΩ的N沟道增强型功率场效应晶体管，100%EAS保证

时间： 2023-06-10 来源：LONTEN

LONTEN龙腾推出的N沟道增强型功率场效应晶体管 LSGC07R082WE，采用了屏蔽栅沟槽DMOS技术。经过特别定制，该项先进技术可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。器件可广泛应用于高效率的快速开关应用。

产品特点

70V，67A，R_DS_（on）max=8.2mΩ@V_GS=10V

改进的dv/dt能力

快速切换

100%EAS保证

绿色环保

应用

电机驱动

不间断电源

DC-DC转换器

绝对最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）

热特性

封装标识和订购信息

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