【应用】国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路，导通内阻低至40mΩ

时间： 2022-12-09 来源：世强

技术问答

随着新能源光伏储能的普及，光伏逆变器也成了日常配套的生活设施。目前市面上光伏电池面板的转换效率已经可以做到99%，对于负载端快速且高效的用电有很大的意义。那么功率器件的选型尤为重要。本文推荐国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路，导通内阻低至40mΩ，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积，应用框图如下：

瑶芯微的碳化硅MOSFET AKCK2M040WMH，耐压1200V，Rds 40mΩ，持续电流59A，T0247-3封装，用于光伏上有以下优势：

1、Rds 40 mΩ，相较于传统的Si MOSFET，导通内阻更低，损耗更小，可以提高系统效率；

2、反向恢复时间典型值22nS，开关频率更快，

3、周边器件可以小型化，节省空间；

4、结温-55~+150℃，宽温工作范围，可以满足产品在恶劣环境下的使用，保证产品的性能；

封装和引脚配置如下：

综上所述，随着国产化需求和高性价比的需求，工程师越来越有意使用国产产品做设计和应用，国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH，导通内阻低至40mΩ，是应用于光伏逆变BOOST升压电路设计应用的高性价比解决方案

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