【应用】国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路,导通内阻低至40mΩ
随着新能源光伏储能的普及,光伏逆变器也成了日常配套的生活设施。目前市面上光伏电池面板的转换效率已经可以做到99%,对于负载端快速且高效的用电有很大的意义。那么功率器件的选型尤为重要。本文推荐国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路,导通内阻低至40mΩ,可以有效降低热损耗,提高工作效率,同时也可以减小变压器等器件的体积,应用框图如下:
瑶芯微的碳化硅MOSFET AKCK2M040WMH,耐压1200V,Rds 40mΩ,持续电流59A,T0247-3封装,用于光伏上有以下优势:
1、Rds 40 mΩ,相较于传统的Si MOSFET,导通内阻更低,损耗更小,可以提高系统效率;
2、反向恢复时间典型值22nS,开关频率更快,
3、周边器件可以小型化,节省空间;
4、结温-55~+150℃,宽温工作范围,可以满足产品在恶劣环境下的使用,保证产品的性能;
封装和引脚配置如下:
综上所述,随着国产化需求和高性价比的需求,工程师越来越有意使用国产产品做设计和应用,国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH,导通内阻低至40mΩ,是应用于光伏逆变BOOST升压电路设计应用的高性价比解决方案
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