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CRG40T65AK5SD 绝缘栅双极型晶体管
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型号- CRG40T65AK5SD
CRG75T65AK5SD 绝缘栅双极型晶体管
描述- 本资料介绍了CRG75T65AK5SD绝缘栅双极型晶体管(IGBT),一款采用先进微沟槽FS技术的产品。它具有低通态压降、低关断损耗等特点,适用于UPS、光伏逆变器和充电桩等领域。
型号- CRG75T65AK5SD
森未科技IGBT模块SF450R12E6B,采用先进的高密度沟槽技术,保证了较低的导通压降和开关损耗
SF450R12E6B可应用于逆变器、工业变频器、风力发电、大功率电源等工业领域,针对工业应用的特点优化了器件损耗,提高了系统效率。优化了器件EMI特性,降低了系统噪声SF450R12E6B经过严格的可靠性测试,适用于各种严酷的工业应用环境。
CRG50T65BK5SD 绝缘栅双极型晶体管
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型号- CRG50T65BK5SD
CRG120T65AX5SDZ 绝缘栅双极型晶体管
描述- 该资料详细介绍了CRG120T65AX5SDZ绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的产品特性、应用领域和封装信息。该IGBT采用微沟槽FS技术,具有低通态压降和低关断损耗的特点,适用于UPS、光伏逆变和充电桩等领域。
型号- CRG120T65AX5SDZ
IGBT模块使用上的注意事项
提到IGBT模块相信大家并不陌生,那么在IGBT模块的使用上有哪些注意事项呢?本文XDM将为您进行介绍。
GPU600SG120D2 IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics生产的GPU600SG120D2型IGBT模块。该模块具有1200V电压等级、600A电流容量,具备超快开关速度和优异的短路耐久性。资料提供了详细的电气特性、开关特性、热阻数据和应用领域,适用于电机驱动、交流直流伺服驱动放大器等领域。
型号- GPU600SG120D2
CRG75T65AK5HD 绝缘栅双极型晶体管
描述- 本资料介绍了CRG75T65AK5HD绝缘栅双极型晶体管(IGBT),一款采用先进微沟槽FS技术的器件,具有低通态压降、低关断损耗等特点。适用于UPS、光伏逆变器和充电桩等领域。
型号- CRG75T65AK5HD
SF450R17D6半桥IGBT模块
描述- 本资料介绍了SF450R17D6半桥IGBT模块的电气特性、最大额定值、特征值和应用领域。该模块采用1700V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗的特点,适用于变频器、UPS系统、伺服电机和风力发电机等领域。
型号- SF450R17D6
【选型】最新三相NPC IGBT模块flow 3xNPC 1,光伏逆变器行业首选
Vincotech公司最新的三相NPC IGBT模块,结合采用最新IGBT技术和增强的热封装方案,在各种负载下均具备最佳性能。新型1200 V/15A、30 A和50 A IGBT模块采用12 mm的低电感flow 1 封装。专为高功率密度而设计,将使您的下一代太阳能逆变器在尺寸、效率和重量方面快速达到最高性能等级。
GPU150HF120D1 IGBT模块
描述- 本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的GPU150HF120D1型IGBT模块。该模块具有1200V电压等级、150A电流容量,具备超快开关速度和优异的短路耐久性。它采用34mm半桥模块设计,符合RoHS标准。适用于电机驱动器、交流直流伺服驱动放大器和并联操作中的电流共享等应用。
型号- GPU150HF120D1
SF450R12D6半桥IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了SF450R12D6半桥IGBT模块的电气特性、最大额定值、特征值和应用。该模块采用1200V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗的特点,适用于变频器、UPS、伺服电机和逆变器等领域。
型号- SF450R12D6
MG100HF12TFC1 IGBT模块
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型号- MG100HF12TFC1
S3L100R07G6三电平IGBT模块
描述- 本资料详细介绍了S3L100R07G6三电平IGBT模块的电气特性、最大额定值、特征值和应用。该模块适用于UPS和光伏逆变器等应用,具有650V沟槽栅/场终止工艺、低开关损耗和正温度系数等特点。
型号- S3L100R07G6
MG50P12E1A IGBT模块
描述- 该资料详细介绍了MG50P12E1A型IGBT模块的技术规格和应用。内容包括绝对最大额定值、特性值、电路图、封装尺寸信息等,适用于电机驱动、交流直流伺服驱动放大器和不间断电源(UPS)等领域。
型号- MG50P12E1A
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