【产品】-30V/-50A P沟道增强型场效应晶体管YJQ50P03A,采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJQ50P03A,采用DFN3.3X3.3封装,漏源电压最大额定值为-30V,栅源电压最大额定值为±25V。Tc= 25℃条件下,器件的漏极电流可达-50A,脉冲漏极电流最大额定值-200A,总功率耗散最大值为83W。
此外,该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃,可以在严苛的温度环境下工作。稳态条件下,器件的结壳热阻最大额定值为1.5℃/W,结到环境热阻最大额定值为50℃/W,散热性能优异。产品可用于大电流负荷应用,负荷开关,硬开关和高频电路,不间断电源等领域。
产品外观和内部电路图
产品特征
漏源电压最大额定值为-30V
漏极电流(Tc = 25℃)可达-50A
静态漏源导通电阻不超过6.2mΩ(VGS=-10V);
静态漏源导通电阻不超过11mΩ(VGS=-4.5V);
通过100%▽VDS 测试
沟槽功率低压MOSFET技术
大功率、大电流载流能力
应用领域
●大电流负荷应用
●负荷开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源
订购信息
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