【产品】-30V/-50A P沟道增强型场效应晶体管YJQ50P03A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJQ50P03A，采用DFN3.3X3.3封装，漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±25V。Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流可达-50A，脉冲漏极电流最大额定值-200A，总功率耗散最大值为83W。
此外，该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。稳态条件下，器件的结壳热阻最大额定值为1.5℃/W，结到环境热阻最大额定值为50℃/W，散热性能优异。产品可用于大电流负荷应用，负荷开关，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。
产品外观和内部电路图
产品特征
漏源电压最大额定值为-30V
漏极电流（Tc = 25℃）可达-50A
静态漏源导通电阻不超过6.2mΩ（VGS=-10V）;
静态漏源导通电阻不超过11mΩ（VGS=-4.5V）;
通过100%▽VDS 测试
沟槽功率低压MOSFET技术
大功率、大电流载流能力
应用领域
●大电流负荷应用
●负荷开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源
订购信息
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