【元件】 高特新推DFN1610-2L和SOD-323微型封装的LOW VF肖特基二极管，有效减小电子系统功率损耗
电子元器件业者不断推动电子系统变得更加高效、功率损㧌更加低下。对于许多系统，特别是功率转换电路（DC/DC）中的反向极性保护或续流，肖特基二极管一直是设计的主流，而肖特基二极管的正向压降（VF）和反向漏电流（IR）则是其中的关键参数。
作为一款理想的肖特基二极管，应具有低正向压降（VF）、高反向阻断电压（VDC）、零泄漏电流（IR）、低寄生电容（CJ）；在一些空间有限的电子系统里更要求肖特基二极管的体积越小越好。
显然，在当前传统平面肖特基工艺中要同时实现以上要求尤为艰难。因此，开发一款在保证既定或更优越电性特性且更小外形尺寸的肖特基二极管尤为必要。
高特2A 40V LOW VF肖特基二极管
应电子系统更加高效、更低功率损㧌、更小占板空间的需求。高特结合先进的芯片制造工艺和先进的封装工艺开发出了两款2A 40V LOW VF肖特基二极管RB10U40FD DFN1610-2L和RB10U40WS SOD-323，其VF@1A=0.37V和VF@2A=0.43V，IR@40V<80μA。如此之低的VF和IR值可很大程度上减小电子系统中的功率损耗，大大提高了效率。
同时，RB10U40FD采用DFN1610-2L封装外形，外形尺寸仅为1.6*1.0*0.5毫米；RB10U40WS采用SOD-323封装外形，外形尺寸仅为2.6*1.3*0.8毫米。较业界常用SOD-123FL封装外形的同类产品节省约76%和49%的电路板空间，DFN1610-2L更比SOD-123FL的同类产品纤薄50%，在离板高度上占尽优势。
综述
综上所述，在电子系统更加高效、更低功率损㧌、更小占板空间的需求下，高特2A 40V LOW VF肖特基二极管RB10U40FD DFN1610-2L和RB10U40WS SOD-323等两款微形封装且超低正向导通电压（VF）的肖特二极管可成为电子工程师在功率转换电路（DC/DC）中反向极性保护或续流的设计首选之一。
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