【选型】长晶科技MOSFET及二极管在LED电源中的应用推荐
目前市面上的小功率段LED电源的功率段一般在100W以内,而这些电源都是采用FLYBACK的电路拓扑。以雷士LED电源为例,整流/开关电路中均有机会使用到长晶科技的二极管或者MOSFET。
1. 整流部分:一般使用反向电压1000v的桥堆,如长晶科技的MB10S,MB10F
2. D2: 保护二极管,一般使用普通整流二极管,使用长晶科技的S2J,S2M
3. D1:超快恢复二极管,一般要求恢复时间35ns以内, 如长晶科技的MURS560/460 ,MURF860
当使用MOSFET用于初级开关时,图中Q1可以选择长晶科技的如下型号:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由冬诀转载自长晶科技,原文标题为:长晶MOS及二极管在LED电源的应用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
维安多款800V高压超结MOSFET产品,温升和效率性显著提升,轻松解决LED电源浪涌
LED作为21世纪的绿色照明产品,正在大量取代传统的光源。依托庞大的LED市场,国产器件在SJ MOSFET领域替换进口品牌的潜力极大。维安结合市场和客户的需求,在产品工艺、封装上持续创新,针对LED照明领域通用的800V以上耐压的规格,在产品系列、规格尺寸上也更加齐全。
【选型】长晶科技MOSFET及二极管在PC电源的应用
长晶MOSFET与二极管在PC电源的应用,以明纬电源为例,电路拓扑中整流&PFC,切换电路(即主功率LLC回路),整流/滤波电路中均有机会使用到长晶的二极管或者MOSFET。
美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
KP1054XVP高集成度高效率降压LED电源开关
描述- KP1054XVP是一款高度集成的降压LED电源开关IC,适用于LED照明应用。该芯片集成500V功率MOSFET、600VFRD和功率控制器,并包含高压LDO供电电路和无VDD电容的单绕组电感变压器。
型号- KP1054XVP
长晶科技整流桥选型表
长晶科技提供如下整流桥的技术选型:I(AV)(A)范围:+0.8~+35;VRRM(I=IRM)(V)范围:+40~+1000;IFSM(A)范围:+8~+400.....长晶科技的整流桥有DFNWB3.0*3.0-4L、GBP、GBU、JBF等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
I(AV)(A)
|
VRRM(I=IRM)(V)
|
IFSM(A)
|
VFM(V)
|
IRM@TA=25℃(µA)
|
Package
|
RMSB40M_UMSB
|
整流桥
|
Active
|
4
|
1000
|
100
|
1.3
|
5
|
UMSB
|
选型表 - 长晶科技 立即选型
KP1465x PWM可调光降压LED电源开关
描述- KP1465X是一款高度集成的降压型LED电源开关IC,支持PWM调光功能。该产品采用准谐振模式(QR)实现高效率,具有1%~100%宽范围的调光范围、超低待机损耗、内置500V功率MOSFET和650V电源电路等特点。它还具备多种保护功能,如过压保护、电流限制和保护等。
型号- KP14653SP,KP14654DP,KP14652SP,KP14653DP,KP1465X,KP1465XSP,KP1465XDP,KP14651SP,KP14652DP
KP1077XWP非隔离式QR降压LED电源开关,带外部OTP
描述- KP1077XWP是一款集成了500V功率MOSFET、600V FRD、800V整流桥和高电压启动/IC供电电路的非隔离式QR-Buck LED电源开关。它适用于无辅助绕组的LED照明应用,具有高效率、低操作电流和精确的恒定电流控制等特点。
型号- KP1077AWPA,KP1077XWP,KP10770WPA,KP10771WPA,KP10772WPA
低功耗、高性能,沃尔德TSP10L300D-S肖特基二极管为电路保驾护航!
沃尔德半导体推出一款在低功耗和高能效方面表现出色的器件——TSP10L300D-S肖特基二极管。该产品具有低正向压降VF<0.61V@1A,漏电IR<20μA 125℃;贴片封装为PCB板设计能节省空间。
KP126xFCSPA APFC降压LED电源开关
描述- 该资料介绍了KP126XFCSPA APFC Buck LED功率开关的特点和应用。它是一款高度集成的恒流LED电源开关IC,采用准谐振(QR)Buck拓扑结构,具有高功率因数校正(PFC)、内置电源电路、内部500V功率MOSFET等特点。
型号- KP1263FCSP,KP126XFCSPA,KP1262FCSP,KP126XFCSP,KP1264FCSP,KP1261FCSP
KP1264FCSPA APFC降压LED电源开关
描述- 该资料介绍了KP1264FCSP是一款高度集成的APFC(主动功率因数校正)Buck LED电源开关IC。它采用准谐振(QR)拓扑结构,具有高PF值、内置电源电路、内部500V功率MOSFET等特点,适用于LED驱动器等领域。
型号- KP1264FCSPA
5N50 N沟道MOSFET
描述- 本资料详细介绍了5N50N型号的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性,包括其电气参数、开关特性、源漏二极管特性和封装尺寸等。资料还提供了该产品的应用领域,如高频开关电源、电子镇流器和LED电源。
型号- 5N50
KP127xFN APFC降压LED电源开关
描述- KP127XFN是一款高度集成的APFC(主动功率因数校正)型LED降压开关IC。该产品采用准谐振(QR)拓扑结构,具备高效率、低失真和高功率因数的特性。它内置高压电源电路和600V/650V内部MOSFET,无需外部VDD或补偿电容设计。此外,KP127XFN还集成多种保护和功能,如可编程输出过压保护、循环电流限制、前沿消隐、LED开路和短路保护等。
型号- KP1272FNDP,KP1272FNSP,KP1271FNSP,KP1274FNDP,KP1274FNSP,KP127XFN
KP119x隔离式PSR恒流LED电源开关
描述- KP119X是一款高度集成的隔离式PSR恒流LED电源开关,集成650V MOSFET,适用于高功率隔离LED照明应用。它具有±5%的CC调节精度、非常低的VDD操作电流、内置AC线CC补偿和保护功能。
型号- KP1192SPA,KP1191SPA,KP1194DP,KP119X,KP1193DP,KP1192DP
5N50F N沟道MOSFET
描述- 本资料详细介绍了5N50F型号的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性、电气参数、应用领域和测试电路。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关能力、高 ruggedness(鲁棒性)等特点,适用于高频开关电源、电子镇流器和LED电源等领域。
型号- 5N50F
KP127XN APFC降压LED电源开关
描述- KP127XN是一款高度集成的恒流LED电源开关IC,采用准谐振(QR)Buck拓扑结构和主动PFC控制,实现高功率因数、低总谐波失真和高效率。该芯片集成内部消磁检测电路和650V/600V高压MOSFET,具有高压启动功能,简化了系统设计和生产成本。
型号- KP127XN
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论