【产品】90A 120V的SGT工艺MOSFET CJAC90SN12,可用于PD充电器等领域
长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC80SN10H,漏源级击穿电压为120V,连续漏极电流为90A,不含卤素,符合RoHS标准。该产品为PDFNWB5x6-8L封装,相较于TO-252-2L,封装更小,且厚度仅为1mm。SGT工艺MOSFET,具有较低的RDS(on),同时具有优秀的动态特性参数,可用于PD充电器,电源模块开关以及同步整流等应用。
CJAC90SN12的脉冲漏极峰值电流为360A,过流能力出色。器件的最高结温为150℃,存储温度范围-55~150℃。器件的结壳热阻的典型值为1.25℃/W。Tj=25℃下,MOSFET的RDS(on)典型值为5.7mΩ@VGS=10V;阈值电压典型值为2.9V;Rg典型值为2.5Ω;Ciss结电容典型值为3627PF;Qg典型值为49nC。
特点:
●低RDS(on)
●低Ciss
●低热阻
●出色的动态特性
●高浪涌过流能力
优势:
●优秀的散热能力
●超低栅极电荷
●低反向传输电容
●快速开关切换能力
●更强的耐雪崩能量冲击能力
应用:
●开关电源(SMPS)
●PD充电器
●电源模块
●LED照明电源
●基站电源
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