【产品】90A 120V的SGT工艺MOSFET CJAC90SN12，可用于PD充电器等领域
长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC80SN10H，漏源级击穿电压为120V，连续漏极电流为90A，不含卤素，符合RoHS标准。该产品为PDFNWB5x6-8L封装，相较于TO-252-2L，封装更小，且厚度仅为1mm。SGT工艺MOSFET，具有较低的RDS（on），同时具有优秀的动态特性参数，可用于PD充电器，电源模块开关以及同步整流等应用。
CJAC90SN12的脉冲漏极峰值电流为360A，过流能力出色。器件的最高结温为150℃，存储温度范围-55~150℃。器件的结壳热阻的典型值为1.25℃/W。Tj=25℃下，MOSFET的RDS（on）典型值为5.7mΩ@VGS=10V；阈值电压典型值为2.9V；Rg典型值为2.5Ω；Ciss结电容典型值为3627PF；Qg典型值为49nC。
特点：
●低RDS（on）
●低Ciss
●低热阻
●出色的动态特性
●高浪涌过流能力
优势：
●优秀的散热能力
●超低栅极电荷
●低反向传输电容
●快速开关切换能力
●更强的耐雪崩能量冲击能力
应用：
●开关电源（SMPS）
●PD充电器
●电源模块
●LED照明电源
●基站电源
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型号- BD7673AG,BD768XFJ,UDZGVTE-1713B,RFV12TG6S,BM2P141W,R6009JND3,BM1P105FJ,BM2P141X,KN 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