【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA,适用于高效DC/DC转换和功率开关

2023-04-01 蓝箭电子
N沟道场效应管,BRCS3710BRA,蓝箭电子 N沟道场效应管,BRCS3710BRA,蓝箭电子 N沟道场效应管,BRCS3710BRA,蓝箭电子 N沟道场效应管,BRCS3710BRA,蓝箭电子

蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA,具有阻抗低,开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关,其VDSS值100V,ID(Tc=25℃)值为50A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃。

特征:

阻抗低,开关速度快。


用途:

用于高效DC/DC转换和功率开关。


极限参数(Ta=25℃)

电性能参数(Ta=25℃)

外形尺寸图:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由提灯破云转载自蓝箭电子,原文标题为:BRCS3710BRA,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

200V/18A的硅N沟道增强型VDMOSFET SL18N20,高效功率开关解决方案

萨科微半导体的SL18N20是一款硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,旨在降低导通损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。这一优秀的晶体管产品在各种功率开关电路中具有广泛的应用,为系统的小型化和更高效率提供了重要支持。

2024-03-07 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS18N20DP,采用TO-252塑封封装,Tj温度范围为-55~150℃

蓝箭电子推出的采用TO-252塑封封装的N沟道场效应管BRCS18N20DP,具有低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化的特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

2023-05-02 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装,适用于低压电路

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB,采用DFN 3*3A-8L塑封封装。其VDS(V)值为20V,在VGS=±12V条件下ID值为12.6A,是一种无卤产品。BRCS080N02ZB适用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。其PD值为100W,IAS值为12.5A,TSTG温度范围为-55~+150°C。

2022-06-18 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

虹美功率半导体(Hongmei Power Semiconductor)MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表(国内独创特色产品)

目录- 小功率低压P/N沟道场效应管    中功率低压P/N沟道场效应管    超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管    大功率高压N沟道场效应管    高压超结N沟道场效应管    大功率中压大电流P/N沟道场效应管    大功率中压大电流N+P沟道场效应管    大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管    超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管    GaN(氮化镓) FET管   

型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HMS11N70Q,HM10DN06Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM2810D,HM10N06Q,HM4615Q,HMS20N15KA,HMN9N65Q,HM100P35E,HM6604D,HM4P10D,BSS84KR,HM30SDN02D,HM2819D,HM2N50PR,HM06DP10Q,HM3N25R,HMS100N15,HMS3N70R,HM3400DR,HM35DN03D,HM4616Q,HM2310DR,HM4N60R,HM3N40PR,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HMS45N04Q,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N30R,HM6604DB,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM3400E,HM2301BWKR,HM3DN10D,HM3N150,HM18DP03D,HMS65N10KA,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM50P35DE,HM2800D,HM10DP06D,HM2N50R,HM20DN04Q,HM10P10Q,HM4N10D,BSS138DM,HM15P06Q,BSS8402DM,HM1N60R,HMS18N10Q,HMS85P06,HM2809D,HM13N25FA,HM3401E,HM6604BWKR,HM30DN02D,HM12P04Q,HMS45P06D,HM4618Q,HMS35N06Q,HM15N25,HM50P03D,HM06N15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS6N10PR,HM6803D,HM15N25K,HM2DP10D,HM3N150F,HM3N150A,HM12N20D,HM2309DR,HM4611Q,HM4N65R,HM13N25A,HM25P15,HMS5N80R,BSS138DW,HM4485E,HMS10N15D,HMS85P06K,HMS4488,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM2319D,HM1N60PR,HM610K,HM3N100,HMS5N65R,HM100P35KE,HM25P15K,HM10SDN10D,HM1N70R,HM25P15D,HM20P04Q,HMS4N10MR,HM2803D,HM2N65R,HM4640D,HMS10DN10Q,HM609K,HM13N30K,HMS3N65R,HM25N08D,HM13N30F,HM2318D,HM3N120F,HM12DP04D,HM3N50R,HM3N120A,HMS5N90R,HM2N70R,BSS84SR,HM3800D,HM13N25KA,HM2302BWKR,HMS13N65Q,HM6804D,HM7002KDM,HMS11N65Q,HM3N50PR,HM2N65PR,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HM25N06Q,HMS50N03Q,HM3801D,HM3N120,HM3401DR,HM4630D,HM02P30PR

2023/5/26  - 虹美功率半导体  - 选型指南 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】280V N沟道功率MOS管,较P沟道MOS管导通电阻更小

日本新电元(Shindengen)公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2,最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为280.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为13.0/17.0/21.0A,静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关,继电器驱动,电源转换器电路等应用。

2018-05-05 -  新产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

场效应管如何选型?

场效应管有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。

2024-11-27 -  技术探讨 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】500V N沟道功率MOSFET,大功率开关电源的理想选择

日本新电元公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管——P10F50HP2/P13F50HP2/P15F50HP2/P20F50HP2,性能稳定可靠,是设计中大功率开关电源的理想选择。具有高电压、低导通电阻、高切换速度,高雪崩耐久性,高di/dt耐久性等优点。广泛使用于继电器驱动,高速脉冲放大器,驱动器等应用。

2018-05-04 -  新产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA,具有低栅电荷、导通电阻低的特点

蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA,具有低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化等特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

2023-05-09 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A,适用于高功率DC/DC转换和功率开关

蓝箭电子推出的TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A,具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快的特征。该器件适用于高功率DC/DC转换和功率开关,其VDSS值80V。

2023-05-06 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】PDFN5×6封装的无卤N沟道场效应管BRCS060N04SZC,Tj温度范围-55~150℃

蓝箭电子推出的PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N04SZC,具有低电阻可最大地降低导电损耗、低栅极电荷、可实现快速切换,低热阻的特征。VDS值40V,ID值为30A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃,无卤。

2023-01-12 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS016N03DP,门电荷低,适用于低压电路

蓝箭电子推出的TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS016N03DP,具有RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快的特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

2023-05-08 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】采用PDFN5×6封装的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC,VDS值为100V

蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC,采用PDFN5×6封装。具有低电阻可最大地降低导电损耗,低栅极电荷,可实现快速切换,低热阻的特征。该产品可用于电池管理,联网直流-直流电力系统,负荷开关等。

2023-01-13 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC,Tj温度范围-55~150℃

蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC,具有低电阻可最大地降低导电损耗,低栅极电荷,可实现快速切换,低热阻的特征。其VDS值80V,ID值为85A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃。

2023-02-01 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管

蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管,RDS(on)×Qg很低,100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等,其VDSS值650V,ID值为20A。

2023-05-07 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:虹美功率半导体

品类:中功率低压P/N沟道场效应管

价格:¥1.0695

现货: 240

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥1.0589

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥0.7271

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥0.9836

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥1.0589

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥0.8448

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥1.0377

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥0.8236

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:大功率中压大电流P/N沟道场效应管

价格:¥1.0589

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:小功率低压P/N沟道场效应管

价格:¥0.1495

现货: 50

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:Nexperia

品类:场效应管

价格:¥1.4615

现货:138,949

品牌:Nexperia

品类:N_MOSFET

价格:¥10.3000

现货:68,730

品牌:DIODES

品类:场效应管

价格:¥0.9151

现货:54,000

品牌:DIODES

品类:场效应管

价格:¥1.1871

现货:36,000

品牌:Nexperia

品类:场效应管

价格:¥2.5191

现货:21,000

品牌:INFINEON

品类:场效应管

价格:¥2.7742

现货:12,765

品牌:Nexperia

品类:场效应管

价格:¥2.2490

现货:10,662

品牌:INFINEON

品类:场效应管

价格:¥4.5929

现货:9,750

品牌:Nexperia

品类:场效应管

价格:¥1.6298

现货:9,444

品牌:Nexperia

品类:场效应管

价格:¥1.3199

现货:5,599

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

MCU烧录/Flash烧录/CPLD烧录

可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面