【选型】隔离驱动芯片Si8285为SiC MOSFET驱动提供短路保护，响应时间短、可靠性高

时间： 2019-12-27 来源：世强

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SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，SiC MOSFET具有大约3微秒短路耐受能力。通常SiC MOSFET的短路保护是监测Vce电压来做。短路发生时，短路电流会迅速上升至饱和值，漏极电压也会上升至母线电压。一旦测试到的Vds高于预设的参考值，被测器件会被认为进入短路状态。所以，通常SiC MOSFET驱动都需要带用DESAT保护功能去实现短路保护。

图1 DESAT保护功能实现

SiC MOSFET由于能承受的短路时间较短，所以就要求提供保护的响应时间尽可能快。通常在IGBT驱动设计DESAT保护中会留出一定的消隐时间来防止保护误动作。所以我们在SiC MOSFET设计中就要求DESAT功能的响应时间足够快。本文介绍的SILICON LABS Si8285系列驱动DESAT响应时间短，稳定可靠。

从上图可以看出，DESAT响应时间大概在2.5us，满足快速响应要求。DESAT引脚检测到电压超过设置阈值6.9V后开始动作，从检测到超过阈值到故障指示VOUT输出的延迟时间最大为2.7us，完全可以使SiC MOSFET做到可靠关断。下图为DESAT保护的时序图。

图2 Si8285 DESAT保护时序图

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2019-08-01 - 设计经验代理服务技术支持批量订货