【产品】40V的N沟道MOSFET TTD120N04AT/TTP120N04AT
TTD120N04AT,TTP120N04AT是无锡紫光微电子推出的40V、N沟道MOSFET,其中TTD120N04AT采用TO-252封装,TTP120N04AT采用TO-220封装。
图1 实物图
特性:
沟槽型功率MOSFET技术
低漏源导通电阻
低栅极电荷
针对快速切换应用进行了优化
绝对最大额定值特性:
热特性:
应用:
·DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流
·电信和工业中的隔离式DC / DC转换器
标记和封装信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣翻译自无锡紫光微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG,单脉冲雪崩能量为352mJ
无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET:TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-09-28
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG,开关速度快
无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET:TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-08-01
【产品】80V N沟道MOSFET TTB115N08A和TTP115N08A,连续漏极电流达115A
TTB115N08A/TTP115N08A是无锡紫光微电子设计的N沟道MOSFET,符合RoHS标准,对人类健康和生态环境友好。其具有快速反向恢复时间、低RDS(ON)、等特点,多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。
新产品 发布时间 : 2019-11-05
【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H,具有快速开关能力
无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H,在TC=25℃时,其漏-源电压(VGS=0V)为700V,连续漏极电流为11A,耗散功率(TC=25℃)为70W,应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。
产品 发布时间 : 2023-02-28
【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H,100%雪崩测试
无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。
新产品 发布时间 : 2019-10-25
【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET,持续漏极电流为10A,工作结温及存储温度范围为-55~+150℃
无锡紫光微(UNIGROUP)推出650V N沟道MOSFET,100%通过雪崩测试,可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正,工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。
产品 发布时间 : 2023-01-31
【产品】30V N沟道MOSFET TTD100N03GT/TTP100N03GT,漏源电阻最大仅5.3mΩ
TTD100N03GT,TTP100N03GT是无锡紫光微电子推出的30V、N沟道MOSFET.其中TTD100N03GT采用TO-252封装,TTP100N03GT采用TO-220封装。其采用沟槽型功率MOSFET技术,并针对快速切换应用进行了优化。
新产品 发布时间 : 2019-11-29
【产品】切换速度快的N沟道MOSFET TMA10N60HF,耗散功率最大值为65W
TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET,该器件具有快速切换特性,且经过100%雪崩测试,可应用于开关模式电源(SMPS)、电机控制和功率因数校正(PFC)等领域,器件符合RoHS标准。
产品 发布时间 : 2022-12-09
【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H,采用TO-220F封装
无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET,漏源电压最大额定值为500V,栅源电压最大额定值为±30V,脉冲漏极电流最大额定值为60A,重复雪崩能量最大额定值为54mJ,采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-09
【产品】200V N沟道MOSFET TMA/TMD/TMU5N20H,连续漏极电流最大额定值为5A
无锡紫光微电子有限公司是一家专注于集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试和先进半导体功率器件研发的集成电路设计企业,其推出了型号为TMA5N20H、TMD5N20H、TMU5N20H的三款N沟道MOSFET,分别采用TO-220F、TO-252、TO-251的封装方式,满足ROHS标准。
新产品 发布时间 : 2019-10-24
【产品】漏源电压最大额定800V的N沟道MOSFET TMA10N80HG,具有输入阻抗高、驱动功率低、频率特性好等特点
TMA10N80HG是无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET,TC=25℃时,器件漏源电压最大额定值为800V(VGS=0V),持续漏极电流最大额定值为10A,耗散功率最大额定值为25W(TO-220F),栅-源电压最大额定值为±30V。
产品 发布时间 : 2022-11-08
【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET,漏源电压650V,漏极持续电流20A(TC=25ºC)
TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET,其漏源电压均为650V,漏极持续电流20A(TC=25ºC),耗散功率最大120W,工作结温-55~+150℃,具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择,采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。
新产品 发布时间 : 2020-12-13
【产品】采用TO-220F封装的N沟道MOSFET TMA10N40H,最大漏-源电压400V
TMA10N40H是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET,TC=25℃时,器件漏-源电压最大额定值为400V,持续漏极电流最大额定值为10A,耗散功率最大额定值为63W,栅-源电压最大额定值为±30V。
产品 发布时间 : 2022-11-06
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论