【产品】采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压的第四代DRAM模块DDR4

2019-12-09 ATP ELECTRONICS
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ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压,与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。

图1 DDR4产品图


作为从DDR3演进而来的新一代规格,DDR4内存模块对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。


DDR4是最新一代的高性能导向的DRAM模块,针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s,理论峰值性能提高了15%,充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。


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ATP M.2 NVMe Embedded SSD

型号- N600SC,2280-D2-M,N600SI

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