【产品】40V/90A的N沟道增强型场效应晶体管YJG90N04A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

时间： 2021-02-20 来源：扬杰科技

技术问答

扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管 YJG90N04A，采用PDFN 5X6封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低R_DS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

产品封装及等效电路图

产品特征

漏源电压最大额定值为40V

栅源电压最大额定值为±20V

漏极电流（T_C= 25℃）可达90A

脉冲漏极电流最大额定值340A

单脉冲雪崩能量最大值为220mJ

总功率耗散最大值为70W（T_C= 25℃）

静态漏源导通电阻不超过4.5mΩ（V_GS=10V）

静态漏源导通电阻不超过6.5mΩ（V_GS=4.5V）

结温和存储温度范围均为-55~+175℃

结壳热阻最大额定值为2.1℃/W

通过100%▽V_DS 测试

通过100%UIS 测试

沟槽功率低压MOSFET技术

低R_DS(ON)的高密度单元设计

良好的散热封装

应用领域

大电流负载应用

负荷开关

硬开关和高频电路

不间断电源

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