【产品】40V/90A的N沟道增强型场效应晶体管YJG90N04A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG90N04A，采用PDFN 5X6封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。
产品封装及等效电路图
产品特征
漏源电压最大额定值为40V
栅源电压最大额定值为±20V
漏极电流（TC= 25℃）可达90A
脉冲漏极电流最大额定值340A
单脉冲雪崩能量最大值为220mJ
总功率耗散最大值为70W（TC= 25℃）
静态漏源导通电阻不超过4.5mΩ（VGS=10V）
静态漏源导通电阻不超过6.5mΩ（VGS=4.5V）
结温和存储温度范围均为-55~+175℃
结壳热阻最大额定值为2.1℃/W
通过100%▽VDS 测试
通过100%UIS 测试
沟槽功率低压MOSFET技术
低RDS(ON)的高密度单元设计
良好的散热封装
应用领域
大电流负载应用
负荷开关
硬开关和高频电路
不间断电源
订购信息
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