【应用】采用专利VCC自供电技术的离线式开关电源控制芯片RM671X系列用于快速充电器设计,内置高压MOS
随着快充技术的迅速发展,快速充电器已逐渐成为手机、平板等电子产品的标配。在当下这个电子产品供大于求的环境下,快充市场的竞争早已进入了白热化状态,各大充电器厂商要想赢得更多的市场份额,就需要技术创新来打破僵局。为了适应这种市场需求,亚成微高效率、低功耗、低成本的新一代快充PWM控制芯片671X系列(基于自供电双绕组架构)应运而生。
基于自供电双绕组架构—RM671X系列
芯片介绍
■ RM671X是一种采用新一代快充PWM控制技术(自供电双绕组架构)的离线式开关电源控制芯片,内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器,满足六级能效标准。
■ RM671X内置高压启动电阻,专利技术为VCC供电(一种双绕组副边反馈开关电源,专利号:ZL201920052161.3),无需外部辅助绕组,节约设计成本。
■ RM671X芯片内置多种工作模式,在轻载情况下,芯片进入Burst mode模式,消除变压器的音频噪音,提高转换效率;在待机模式下,电路进入打嗝模式,有效降低电路的待机功耗。内部集成斜坡补偿模块,有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性,减小了输出纹波电压。
■ 芯片内部集成多种异常状态保护功能。在电路发生异常时,芯片进入保护状态并自动重启检测,异常解除,恢复正常输出。
芯片优势
■ 采用专利VCC自供电技术(一种双绕组副边反馈开关电源,专利号:ZL201920052161.3),成功省去了主控芯片外围VCC辅助绕组及其相关整流电路,方案外围简单,易于电路设计
■ 内置高压MOS,集成高压启动
■ Burst Mode 模式去除噪音影响
■ 抖频改善EMI特性,超低待机功耗,满足六级能效标准
■ 多种保护功能:输出短路保护(SLP)、过流保护(OCP)、前沿消隐(LEB)、过热保护(OTP)、CS短路保护、输出二极管短路保护、过载及欠压保护等
■ 系统BOM成本优于同类型产品(省去变压器辅助绕组、Vcc整流二极管及电阻、LDO稳压电路、Vcc电解电容,减小PCB面积)
产品系列
方案选型(18W~36W高精简快充方案)
【一】18W PD(内置MOS)快速充电器应用方案
【二】18W PD(外置MOS)快速充电器应用方案
【三】20W PD快速充电器应用方案
【四】30W PD快速充电器应用方案
【五】18W【双A口】快充插排方案
【六】36W【三A口】快充插排方案
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亚成微电子开关电源芯片选型表
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产品型号
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品类
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分类
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最大功率(W)
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功率管
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工作频率(kHz)
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封装形式
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应用领域
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RM6820NQL
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开关电源芯片
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副边反馈(SSR)+ZVS
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120W
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内置GaN
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85kHz
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PLP8*8
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快速充电器、电源适配器、模块电源
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选型表 - 亚成微电子 立即选型
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电子商城
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可加工PCB板层数:1-20层,板材类型:双面板/多层板/FR4板/高频板/高精密板/高阶HDI板等,成品尺寸:10*10~60*55cm;板厚:0.5~5.0mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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