【应用】采用专利VCC自供电技术的离线式开关电源控制芯片RM671X系列用于快速充电器设计,内置高压MOS

2022-09-10 亚成微电子官网
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随着快充技术的迅速发展,快速充电器已逐渐成为手机、平板等电子产品的标配。在当下这个电子产品供大于求的环境下,快充市场的竞争早已进入了白热化状态,各大充电器厂商要想赢得更多的市场份额,就需要技术创新来打破僵局。为了适应这种市场需求,亚成微高效率、低功耗、低成本的新一代快充PWM控制芯片671X系列(基于自供电双绕组架构)应运而生。


基于自供电双绕组架构—RM671X系列

芯片介绍 

■ RM671X是一种采用新一代快充PWM控制技术(自供电双绕组架构)的离线式开关电源控制芯片,内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器,满足六级能效标准。
■ RM671X内置高压启动电阻,专利技术为VCC供电(一种双绕组副边反馈开关电源,专利号:ZL201920052161.3),无需外部辅助绕组,节约设计成本。
■ RM671X芯片内置多种工作模式,在轻载情况下,芯片进入Burst mode模式,消除变压器的音频噪音,提高转换效率;在待机模式下,电路进入打嗝模式,有效降低电路的待机功耗。内部集成斜坡补偿模块,有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性,减小了输出纹波电压。
■ 芯片内部集成多种异常状态保护功能。在电路发生异常时,芯片进入保护状态并自动重启检测,异常解除,恢复正常输出。


芯片优势

■ 采用专利VCC自供电技术(一种双绕组副边反馈开关电源,专利号:ZL201920052161.3),成功省去了主控芯片外围VCC辅助绕组及其相关整流电路,方案外围简单,易于电路设计

■ 内置高压MOS,集成高压启动

■ Burst Mode 模式去除噪音影响

■ 抖频改善EMI特性,超低待机功耗,满足六级能效标准

■ 多种保护功能:输出短路保护(SLP)、过流保护(OCP)、前沿消隐(LEB)、过热保护(OTP)、CS短路保护、输出二极管短路保护、过载及欠压保护等

■ 系统BOM成本优于同类型产品(省去变压器辅助绕组、Vcc整流二极管及电阻、LDO稳压电路、Vcc电解电容,减小PCB面积)


产品系列

方案选型(18W~36W高精简快充方案)

【一】18W PD(内置MOS)快速充电器应用方案

【二】18W PD(外置MOS)快速充电器应用方案

【三】20W PD快速充电器应用方案

【四】30W PD快速充电器应用方案

【五】18W【双A口】快充插排方案

【六】36W【三A口】快充插排方案

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL

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品牌:东科半导体

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