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Renesas 瑞萨 驱动光耦产品特性
● 2.5A驱动电流,高达50 kV/μs MIN的共模抑制比;
● 抗电磁干扰能力更强,更宽温度范围-40~110/125℃,5000V隔离电压;
● 瑞萨光耦10年以上技术研发积累,在华为、松下等著名厂家广泛使用;
● 产品全部通过UL、CSA,、SEMKO、DIN EN 60747-5-5(VDE 0884-5)认证。
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小旺 Lv7 2019-02-26消息很重要
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Ifrank Lv3. 高级工程师 2018-01-11这个芯片性能
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MarsSu Lv4. 资深工程师 2017-12-19是不错
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固态继电器,比如德国pilz,是较好的品牌。Silicon labs有可以替换固态继电器的芯片Si875x系列。Si875x系列是基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管(FET)驱动器家族产品,这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的FET去替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)。Si875x系列产品是业内首款隔离型FET驱动器,设计旨在利用集成的CMOS隔离栅传输电源,这消除了通常所需的隔离的次级侧开关电源,减少了系统成本和复杂性。当与分立FET搭配时,Si875x驱动器提供业内一流的EMR/SSR替代解决方案,适用于电机和阀门控制器、HVAC继电器、电池监控、交流干线与通信交换机、HEV/EV汽车充电系统和其他工业和汽车应用等。更多信息请点击链接查阅:http://www.sekorm.com/news/3744.html
QX332J 智能栅极驱动光耦(QX332J Smart Gate Driver Optocoupler)
描述- 宁波群芯微电子股份有限公司生产的QX332J是一款2.5A智能栅极驱动光耦,适用于电机控制逆变器应用中的功率IGBTs和MOSFETs。该产品具有高隔离电压、低传播延迟、米勒钳位、欠压锁定保护等特性,适用于隔离型IGBT或隔离型功率MOSFET的栅极驱动、交流和直流无刷电机驱动器、工业逆变器、不间断电源等领域。
型号- QX332J-UNY-W(V)(ZZ),QX332J
栅极驱动光耦的应用
描述- 栅极驱动光耦是一种内部包含砷化镓LED和晶体管推挽电路的电子元件,用于驱动功率MOS和IGBT。以QX3120为例,其输出驱动电流高达2.5A,可直接驱动高达1200V/100A的IGBT。该光耦具有抑制共模噪声的能力,适用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品。栅极驱动光耦实现输入、输出电气隔离,保证信号传输安全性,并广泛应用于光伏逆变、户外储能等领域。应用时需注意IF值、VDD取值等参数,以确保光耦正常工作。
型号- QXN3130,QXM314,QXN3120,QX3150,QX331J,QX330J,QX3120,QX314,QX316J,QX155,QX343,QX340,QX333J,QX341,QX332J,QX350,QXM341
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Si8631是Silicon Labs推出的3通道数字隔离器,可支持数据率范围为0~150Mbps,其最高隔离电压可达5000VRMS工作寿命可达60年。
QX333J 智能栅极驱动光耦 (QX333J 2.5 Amp Smart Gate Driver Optocoupler)
描述- 宁波群芯微电子股份有限公司推出的QX333J是一款2.5A智能栅极驱动光耦,适用于电机控制逆变器应用中的功率IGBTs和MOSFETs驱动。该产品具有高绝缘电压、低传播延迟、饱和度侦测、米勒钳位、滞后的欠压锁定保护等特点,适用于IGBT、MOSFET栅极驱动器、交流和无刷式直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器、开关电源等领域。
型号- QX333J,QX333J-UNY-W(V)(ZZ)
驱动光耦Si8715BD-A-IS,能否介绍下该光耦的特点?
驱动光耦Si8715BD-A-IS为高电平输入高电平输出方式,不带反向功能,其VDD供电电压范围为2.5到5.5V,共模抑制比可以达到50kV/μs,速度可以达到15 Mbps,延迟时间是30 ns,经过AEC-Q100车规级认证,工作温度范围–40 to +125 °C,2.5kVRMS隔离,封装DIP8/GW。
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QX331J 智能栅极驱动光耦 (QX331J 1.5 Amp Smart Gate Driver Optocoupler)
描述- 宁波群芯微电子股份有限公司推出的QX331J是一款1.5A峰值输出电流的智能栅极驱动光耦,适用于电机控制逆变器应用中的功率IGBTs和MOSFETs。该产品具有高绝缘电压、低传播延迟、米勒钳位、欠压锁定保护等特性,适用于隔离型IGBT或隔离型功率MOSFET的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器和不间断电源等领域。
型号- QX331J-UNY-W(V)(ZZ),QX331J
在通信设备中,对产品的静电实验要求是耐压8kV,为了满足ESD需求应该如何选择数字隔离芯片?
通信设备对产品的抗ESD电压的要求很高,常规的数字隔离芯片的抗ESD电压能力通常是4kV,所以用在通信设备中会出现损坏的可能性。推荐数字隔离器Si8640BT-IS,其ESD耐压可以达到10kV,可以应用在对ESD要求很高的通信设备中。
QXM343 栅极驱动光耦(QXM343 Gate Drive Optocoupler)
描述- QXM343是一款由宁波群芯微电子股份有限公司生产的栅极驱动光耦,适用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET驱动。该产品具有4.0A的最大峰值输出电流,能够直接驱动高达1200V/200A的IGBT,适用于开关电源、LGBT/MOSFET栅极驱动、交流和无刷直流电机驱动、可再生能源逆变器以及工业逆变器等领域。
型号- QXM343,QXM343-UNY-W(V)(ZZ)
QX330J 智能栅极驱动光耦 (QX330J 1.5 Amp Smart Gate Driver Optocoupler)
描述- 宁波群芯微电子股份有限公司推出的QX330J是一款1.5A峰值输出电流的智能栅极驱动光耦,适用于电机控制逆变器应用中的驱动功率IGBT和MOSFET。该产品具有高绝缘电压、宽工作温度范围、低功耗等特点,适用于IGBT、MOSFET栅极驱动器、交流和无刷式直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器、开关电源等领域。
型号- QX330J-UNY-W(V)(ZZ),QX330J
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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