军品级N沟道增强型SiC MOSFET，采用C2M MOSFET技术
WOLFSPEED（原CREE POWER独立更名）成立于1987年，在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。由其推出的CPM2-1200-0040B系列N沟道增强型碳化硅功率场效应晶体管（SiC MOSFET），采用C2M MOSFET技术，易于并联或单驱动，并具有抗闩锁的优点，无铅，符合RoHS，绿色环保。TC=25℃（除特殊说明外）时，CPM2-1200-0040B系列N沟道增强型SiC MOSFET的漏源电压最大值为1200V（VGS= 0V、ID=100µA），连续的漏极电流的最大值为63A（TC=25℃、VGS=20 V、假定RθJC < 0.38K/W）。非常适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器、电池充电器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。
Wolfspeed推出的CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET具有较低的导通电阻，典型值仅为40mΩ（VGS=20V、ID=40A），低导通电阻可以带来低损耗，可显著提高系统效率，并减小自身发热，具有较低的冷却需求。
当VGS =0V、VDS =1000V、f=1MHz、VAC=25mV时，CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET的输入电容、输出电容以及反向转移电容的典型值分别为1893pF、150pF和10pF，其超低的反向转移电容可更好地满足高速转换的使用需求。
Wolfspeed推出的CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET具有较大的操作和储存温度范围，为-40~175℃，其最大加工温度高达325℃，具有超好的热性能，满足军品级产品的使用需求。CPM2-1200-0040B系列军品级SiC MOSFET的最大额定参数、电子特性参数以及反向二极管相关性能参数可详见表1~3。
表1 CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET的最大额定参数
| 参数 | 条件 | 最大值 |
| 漏源电压VDSmax | VGS= 0V、ID=100µA | 1200V |
| 栅源电压（动态）VGSmax | AC（f>1Hz）、当使用MOSFET体二极管时，VGSmax=-5V/+25V | -10/+25V |
| 栅源电压（静态）VGSop | 静态，MOSFET也可以在0/+20 V上安全操作 | -5/+20V |
| 连续的漏极电流ID | TC=25℃、VGS=20 V，假定RθJC < 0.38 K/W | 63A |
| TC=100℃、VGS=20 V，假定RθJC < 0.38 K/W | 46A | |
| 脉冲漏极电流ID（pulse） | 脉冲宽度tp由Tjmax限制 | 160A |
| 工作结温和储存温度TJ、Tstg | -40~175℃ | |
| 最大加工温度Tproc | 10分钟、最大值 | 325℃ |
表2 CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET的电子特性参数
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 漏源击穿电压V（BR）DSS | VGS= 0V、ID=100µA | 1200V | ||
| 门阈值电压VGS(th) | VDS=VGS、ID=10mA | 2.0V | 2.6V | 4V |
| VDS=VGS、ID=10mA、TJ=175℃ | 2.0V | |||
| 零栅电压漏极电流IDSS | VGS= 0V、VDS=1200V | 1µA | 100µA | |
| 栅源漏电流IGSS | VGS=20V、VDS=0V | 250nA | ||
| 漏源极开态电阻RDS(on) | VGS=20V、ID=40A | 40mΩ | 52mΩ | |
| VGS=20V、ID=40A、TJ=175℃ | 90mΩ | |||
| 输入电容Ciss | VGS =0V、VDS =1000V、f=1MHz、VAC=25mV | 1893pF | ||
| 输出电容Coss | VGS =0V、VDS =1000V、f=1MHz、VAC=25mV | 150pF | ||
| 反向转移电容Crss | VGS =0V、VDS =1000V、f=1MHz、VAC=25mV | 10pF | ||
| 门源电荷Qgs | VDS =800V、VGS =-5/20V、ID=40A、IEC60747-8-4 pg 21 | 28nC | ||
| 门源漏电荷Qgd | 37nC | |||
| 总电荷Qg | 115nC |
表3 反向二极管相关性能参数
| 参数 | 条件 | 数值 |
| 源漏电压VSD | ISD=20A、VGS =-5V、TJ=25℃ | 典型值4.1V |
| ISD=20A、VGS =-5V、TJ=175℃ | 典型值3.5V | |
| 反向恢复时间trr | VGS =-5V、 ISD=40A、VR=800V | 典型值54ns |
| 反向恢复电荷Qrr | -dif/dt=1000A/µs、TJ=25℃、当使用MOSFET体二极管时，VGSmax=-5V/+25V | 典型值283nC |
| 反向恢复电流峰值Irrm | 典型值15A | |
| 连续的二极管正向IS | TC=25℃、当使用MOSFET体二极管时，VGSmax=-5V/+25V | 最大值60A |
CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET的线路图及尺寸图：
图1 CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET线路图
图2 CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET尺寸图
CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET突出特点与优势
·N通道增强模式
·C2M碳化硅功率场效应晶体管技术
·高阻断电压，低导通电阻
·低电容，快速开关
·易于并联或单驱动
·电子雪崩强度
·抗闩锁
·无卤，通过无铅认证，符合RoHS
·较高的系统效率
·减少冷却需求
·增加功率密度
·提高系统的转换频率
CPM2-1200-0040B系列SiC MOSFET应用领域
·太阳能逆变器
·开关电源
·高压DC/DC转换器
·电池充电器
·马达驱动器
·脉冲电源应用
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本文由Yuesh.翻译自Wolfspeed（原CREE），版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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