【产品】阈值电压最大为1.0V的增强型双N沟道MOSFET
CMRDM3590是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型双N沟道MOSFET，其内部结构如图2所示。该器件提供了低rDS（ON）和低阈值电压，其采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
CENTRAL的CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET的栅源电压VGS为8.0V，连续漏极电流ID为160mA。tp≤5.0s时，连续漏极电流ID为200mA。CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET具有低阈值电压，当VDS=VGS，ID=250μA时，最大值为1.0V，低阈值电压使器件更容易被驱动。CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET还具有较低的rDS（ON），最大值为3.0Ω@VGS=4.5V，ID=100mA，低导通电阻使该器件拥有较小的开关损耗。
CENTRALCMRDM3590增强型双N沟道MOSFET的工作和存储结温均为-65℃~+150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其栅极电荷Qgs为0.176nC，有着极好的开关性能。CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET的开通时间ton为25ns，关断时间toff为85ns，有着极快的开关速度。CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET主要用于负载/电源开关，电源转换器电路，电池供电的便携式设备领域。
图1 CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET实物图
图2 CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET内部结构图
CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET的产品特性：
• 功耗为125mW
• 低rDS（ON）
• 低阈值电压
• 逻辑电平兼容
• 小型SOT-963表面贴装封装
CMRDM3590增强型双N沟道MOSFET的应用领域：
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
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