【应用】碳化硅肖特基二极管B2D10065Q用于升压电源模块,反向耐压650V,损耗仅0.34%@380V
在升压电源模块中,会用到肖特基二极管,但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。要想实现更高的380V电压,硅二极管就不是很合适了。推荐国内厂家基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q。
升压原理的基本电路如下图所示,肖特基二极管应用位置已标注
B2D10065Q应用于28V升压到380V的升压电路中的主要特点如下:
1)耐压高
B2D10065Q的反向耐压650V,在380V的直流升压系统中有足够余量应对。
2)损耗小
B2D10065Q的正向压降为1.29V,在380V时,损耗只有0.34%,进一步提高升压电源模块的效率。
3)体积小
电源模块一般封装很小,需要的元器件也要尽量小体积,B2D10065QDFN8*8贴片封装,在保证良好散热的情况下,减小体积以及布线面积,保证了电源模块的小型化,其封装外形如下图所示。
4)可靠性高
电源模块作为一个系统的“动力之源”,是电子产品最核心的部件,所以对可靠性要求更高。B2D10065Q可以在-55℃~175℃,满足电源模块高温工作环境要求。
综上,基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q,具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点,能够满足28V升压到380V的电源模块设计需要。
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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型号- B2D30065H1
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最小起订量: 3000 提交需求>
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