【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，提高系统输出电流能力10%

时间： 2022-09-17 来源：基本半导体公众号

技术问答

采用沟槽型、低导通电阻的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块 Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品，应用于新能源汽车。

该产品采用标准HPD（Hybrid Pack Drive）封装，并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺，以及高密度铜线键合技术。基于这些先进工艺组合的Pcore™6系列模块，可有效降低电动汽车主驱电控、燃料电池能源管理系统应用中的功率器件温升，以及在相同芯片温升情况下，输出电流增加10%以上。

产品特点

•沟槽型、低R_DS(on)碳化硅MOSFET芯片

•双面有压型银烧结

•高导热型纳米银介质层

•高密度铜线键合技术

•DTS（Die Top System）技术

•增强型PinFin散热针结构

•快速动态响应特性

应用优势

•延长器件寿命5倍

•提高系统输出电流能力10%

•高功率密度

•高阻断电压

•低导通电阻

•低开关损耗

•高可靠性

应用领域

•电动汽车、轨道交通、飞行器、航行器等的动力驱动系统

•燃料电池电能系统

•移动设备电推进系统

产品型号

BMS600R12HWC4

BMS400R12HWC4

BMS700R08HWC4

BMS450R08HWC4

产品型号

BMS600R12HLWC4

BMS400R12HLWC4

BMS700R08HLWC4

BMS450R08HLWC4

产品列表

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型号- UA25-220E0512H2,FN1-15D24B3N,FN1-XXDXXH6,FD30-36S09B3C,FD50-24S15B3C,PFD12-18D05A32,BK20-H1N4,FD20-110SXXB33-T,FA40-220S3V3H3N4,FD15-18S05A3,FD50-B33-TS,FA8-220S05B9N3-1,PFD12-18S09A3C2,KW3-24S24ER3,FD12-36S15A34,WD100-48S12N1,VD150-110S12N1,FD30-A3R-T,DD6-05SXXE3C2,FW2-XXSXXC,FA3-300SXXY2N3-TS,FD20-36S3V3A3C,RS485-05LSSV,FW2-12S12C,WD150-48S12N1,NN1-3V3S3V3ANT,FD20-XXSXXA3C2,RS485-XXXSAVC SERIES,NN3-05S09CN,BK40-600S12W2N4,KW1-24D05E3R3,FD6-36S15A3,K783V3-2000,DD10-24D05E3C2,DA5-220S05G9D4,PFD20-A3 SERIES,WD100-48S12Q1,NA150-220SXXL1 SERIES,BK20-600S24H1N4,NN2-A3NR3 SERIES,FA15-220S12V8Y2N3,FA15-220S12V7B9N3-1,FD6-110SXXA3N4-TS SERIES,NN2-12S15ANR3,FD20-A3C2,NW1-05D12DR3,RS485- HSAV,FA25-220SXXH2D4,RS485-XXXSAVC,KW1-24S12E3R3,WD50-110S12K1,RS485-XXHSA,FA20-300S3V3H2D4,FN1-05D05B3N,FD6-18S12B2C5,FA20-300S24H2D4,FD15-18D05A3,LC-AC01P2 SERIES,WD50-48S24K1,FA5-220E05XXC2D3,WD600-48S28R1,NN3-12S12C4N,UD6-36S3V3E3,WD150-48S12Q1,FD20-B33,FD15-A3-T SERIES,DA120-1000S24G1N4,FA15-220SXXG2N4 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