【产品】三相1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块，用于电动汽车电机驱动或电力逆变器
越来越多的领先电动汽车制造商正在将碳化硅（SiC MOSFET）功率场效应管用于牵引逆变器，其中有些还采用了非传统的分立器件封装。但是，目前很难找到针对电动机驱动而优化的SiC功率模块来适配不同的应用。更进一步，将快速开关的SiC功率模块与栅极驱动器、去耦及水冷等整合为驱动总成，还要面对一些新的挑战。因此，经过完全优化和高度集成的智能功率模块解决方案，可以为客户节省大量的开发时间和工程资源。
CISSOID推出的一种用于电动汽车电机驱动或电力逆变器的新型三相1200V SiC MOSFET 智能功率模块（IPM）。该IPM提供了一种多合一的解决方案，含有栅极驱动器和三相全桥SiC MOSFET功率电路，可用于水冷功率系统。
图 1：CXT-PLA3SA12450AA 三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块
三相全桥水冷 SiC MOSFET 智能功率模块
CXT-PLA3SA12450AA是一个可扩展平台系列的首个产品， 该三相 1200V/450A SiC MOSFET IPM具有导通损耗低（Ron 为 3.25mΩ）、开关损耗低（7.8mJ开启和8mJ关断）等特点（在 600V/300A 时，参见表 1）。相对于最新的 IGBT 电源模块，其损耗至少降低了三分之二。新模块通过轻巧的AlSiC针翅底板进行水冷，结至流体的热阻为0.15℃ /W。该智能功率模块的额定结温高达 175℃，可以承受高达3600V（50Hz，1min）的隔离电压。
表 1：CXT-PLA3SA12450AA 的主要特性
热稳定性和安全的工作区域
该智能功率模块是为高热环境的稳定性应用而设计的，额定的最高结温为175℃。栅极驱动器本身具备在最高环境工作温度为125℃的情况下、长时间工作的增强的耐热能力。 如前所述，该智能功率模块通过轻巧的 AlSiC 针翅底板冷却，每相的结至流体热阻为0.15℃ /W，当流速为10L/Min（推荐的冷却液为50％乙二醇，50％水），允许的流体最高流入端温度可达75℃。 最大连续漏极电流（Id）与 CXT-PLA3SA12450AA 的外壳温度之间的关系（根据最大 Tj时的导通电阻，热阻和最大工作结温计算）如图2所示。最大连续漏极电流（Id）被视为比较功率模块的额定功率的标 准参数，而品质因数（FoM，Figure of Merit）则揭示了 RMS 相电流与开关频率的关系，如图3所示；该曲线是针对600V的DC总线电压、90℃的外壳温度、175℃的结温和50％占空比计算的。 该FoM曲线对于了解模块的适用性更为有用。CISSOID的智能功率模块平台具有系列可扩展性，例如，从图3还可推断（虚线） 出未来的1200V/600A模块的安全工作范围。
图 2：最大连续漏极电流降额（Id）与 CXT-PLA3SA12450AA 的外壳温度之间的关系
图 3：FoM 曲线
测试条件：1200V/450A SiC 功率模块（CXTPLA3SA12450AA）的相电流（Arms）与开关频率（条件：VDC = 600V，Tc = 90℃，Tj <175℃，D = 50％），和预测未来的 1200V/600A 模块（CXT-PLA3SA12600AA，正在开发中）相比较
三相SiC栅极驱动器
CXT-PLA3SA12450AA 三相栅极驱动器的设计，源自已经得到充分测试验证的 CMT-TIT8243 [1，2] 和 CMT-TIT0697 [3] 单相栅极驱动器板，分别设计用于 62mm 1200V/300A 和快速开关XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块（请参见图4）。三相栅极驱动器经过优化，可以直接安装在 CXTPLA3SA12450 功率模块的顶部，这归功于更为紧凑的变压器设计或略微调整的爬电距离设定。CXT-PLA3SA12450AA 栅极 驱动器还包括直流总线电压监视功能。 对于 CMT-TIT8243 和 CMT-TIT0697，栅极驱动器板的 最高工作环境温度为 125℃。板上所有的元器件均经过精心选择和确认，以保证在此温度下的运行。这些设计还依靠 CISSOID 的高温栅极驱动器芯片组 [4、5] 和针对低寄生电容（典型值为10pF）进行了优化的电源变压器模块，以最大程度地降低高 dv/ dt 和高工作温度下的共模反射电流。
图 4：用于快速切换XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块的 CMT-TIT0697 栅极驱动器板
CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器仍有足够的余量来支持功率模块的可扩展性。该模块的总栅极电荷为910nC。在开关频率为25KHz 时，平均栅极电流等于22.75mA。这远低于板载 隔离式 DC-DC 转换器的 95mA 最大电流能力。因此，无需修改栅极驱动器板，就可以直接驱动未来栅极电流容量和栅极电荷更高、驱动功率更大的功率模块。使用并列的多栅极电阻架构，以适应实际最大 dv/dt 可在 10~20 KV/µs 的范围内（负载相关）。栅极驱动器的本身的设计，足够抵抗高达 50KV/µs 的 dv/dt（感性负载），从而在 dv/dt 鲁棒性方面提供了足够的余量。
栅极驱动器保护功能
栅极驱动器保护功能对于确保功率模块的安全运行至关重要。在驱动快速开关的SiC MOSFET时尤其如此。CXTPLA3SA12450 栅极驱动器提供以下保护功能：
√ 欠压锁定保护（UVLO）：CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器监视初级和次级电压，并在低于编程要求电压时自动启动保护、报告故障。
√ 防重叠保护：避免同时开启高侧和低侧功率电路，以防止半桥短路。
√ 防止次级短路：隔离的DC-DC转换器可以逐周期地进行电流限制，从而防止栅极驱动器发生任何短路（例如，栅极 - 源极短路）。
√ 毛刺滤波器：抑制输入 PWM 信号上的毛刺，这些毛刺经常是由于共模电流引起的。
√ 有源米勒钳位（AMC）：关断后实现负栅极电阻的旁路，以保护功率MOSFET免受寄生反射的影响。
√ 去饱和检测：在打开时，在消隐时间之后检查功率 MOSFET 漏源电压是否低于阈值。
√ 软关断：在出现故障的情况下，将缓慢关闭功率晶体管，以最大程度地降低由于高 di/dt 而引起的过冲。
本文提出了一种新型的三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块，这个新的、可扩展的平台系列，优化了功率模块的电气、机械和散热设计及其控制驱动，将有助于所有希望采用 SiC 功率器件以提高驱动效率、减低电机驱动尺寸和重量的电动汽车OEM和电机制造商，极大地帮助其缩短产品的上市时间。
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