【产品】具有超低损耗的SiC MOSFET模块ASC800N1200MED，适用于大功率转换器

时间： 2022-07-30 来源：爱仕特

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ASC800N1200MED是爱仕特推出的一款SiC MOSFET模块，其具有超低损耗、高频操作、易于并联、集成了NTC温度传感器等特点。绝对最大额定值（T_C=25°C）方面，其漏源电压的最大值为1200V，V_GS=20V条件下的漏极电流（连续）的典型值为800A，漏极电流（10us脉冲）的典型值为1600A，耗散功率（T_C=25°C）的最大值为960W，杂散电感的最大值为20nH。

电气特性（T_C=25°C）方面，其栅极阈值电压的最小值为2V（V_DS=V_GS，I_D=240mA），静态漏源导通电阻的最大值仅为3mΩ（V_GS=20V，I_D=600A）。ASC800N1200MED的封装尺寸为152mmx62.5mmx20.5mm。其潜在应用包括：大功率转换器、电机驱动、伺服驱动器、UPS系统、风力发电机。

特点：

•高温、湿度和偏压操作

•超低损耗

•高频操作

•来自MOSFET的零关断尾电流

•常闭、故障安全设备操作

•易于并联

•具有低热阻的AlN基板

•集成了NTC温度传感器

•铜基板

潜在应用：

•大功率转换器

•电机驱动

•伺服驱动器

•UPS系统

•风力发电机

订购信息：

绝对最大额定值（T_C=25°C，除非另有说明）

封装图：

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