2Gb 4通道SPI NOR Flash GD55B/LB02GE获2021中国IC设计成就“年度最佳存储器”奖

时间： 2021-03-23 来源：兆易创新

中国北京（2021年3月18日） — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，在2021中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC领袖峰会上，公司再次斩获“十大中国IC设计公司”奖。这也是兆易创新第五次获此殊荣。同时，旗下2Gb大容量高性能4通道 SPI NOR Flash GD55B/LB02GE和全新Arm® Cortex®-M33内核GD32E50x系列通用MCU分别荣获“年度最佳存储器”和“年度最佳MCU”大奖。

中国IC设计成就奖是中国半导体领域的顶级盛典之一，已连续举办了近二十年，一路见证了中国集成电路产业的发展壮大。能获得IC设计成就奖的表彰，是一项备受认可的荣誉，充分体现了获奖企业拥有高水准的设计能力和高品质的技术服务水平。作为领先的Fabless芯片供应商，兆易创新已经连续多年荣登该榜单，自主研发实力、产品市场表现屡获称赞。今年再次摘得“十大中国IC设计公司”桂冠，既是对兆易创新聚焦技术创新、稳扎稳打战略布局的肯定，也是对企业未来继续开拓进取、推动整个中国半导体产业不断做大做强的期许，将激励兆易创新向着更高远的目标加速前行。

本次荣获“年度最佳存储器”奖的GD55B/LB02GE系列是兆易创新推出的国内首款2Gb大容量高性能4通道SPI NOR Flash产品，支持STR及DTR SPI接口，数据读取频率STR高达166MHz，DTR高达90MHz，数据吞吐率提高到90MB/s，支持XIP (Execute-In-Place)，以达到高效的代码数据读取，DLP功能为高速设计提供了保障，并高度兼容现有4通道SPI应用设计。近年来5G、工业及车载应用不断兴起，要求对大容量代码存储保持高可靠性和高速读取性能；AI应用也日益成熟，需要高速加载代码，在短时间内及时调用存储的算法进行运算；各类IoT应用对XIP的需求越来越大，需要在最短时间内完成指定代码数据的读取，并随着应用的扩展，代码的复杂性显著加大。大容量、高性能的GD55B/LB02GE系列能够凭借自身超大容量、高速读取性能与高可靠性等优势大放异彩，成为工业、车载、AI以及5G等相关领域的应用之选。

未来，兆易创新将继续加大创“芯”力度，以持续研发打造更优异的核心竞争力，以全面布局开拓更广泛的市场，以完善生态为客户提供更好的服务，以积极开放的姿态迎接中国半导体产业的广袤机遇。

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