【产品】内置ESD防护的60V/300mA N沟道增强型MOSFET-2N7002K-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002K-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为300mA。
图1 封装图
2N7002K-AU特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<3Ω
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<4Ω
先进的沟槽技术
高密度单元设计，超低的导通电阻
关断状态下，极低漏电流
专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计
2KV HBM ESD 防护
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
2N7002K-AU机械参数：
外壳：SOT-23封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0003盎司，0.0084克
2N7002K-AU最大额定值和热特性：
2N7002K-AU电气特性：
订购信息：
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