【产品】内置ESD防护的60V/300mA N沟道增强型MOSFET-2N7002K-AU

2019-12-23 PANJIT
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PANJIT（强茂）推出了2N7002K-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为300mA。

                                                                                      图1    封装图

2N7002K-AU特性：

RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<3Ω

RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<4Ω

先进的沟槽技术

高密度单元设计，超低的导通电阻

关断状态下，极低漏电流

专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计

 2KV HBM ESD 防护

符合AEC-Q101标准

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


2N7002K-AU机械参数：

外壳：SOT-23封装

端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.0003盎司，0.0084克


2N7002K-AU最大额定值和热特性：


2N7002K-AU电气特性：


订购信息：


技术顾问：叶子
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技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
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N沟道增强型MOSFET 电池驱动系统 固态继电器驱动 继电器 显示器 存储器 2N7002K-AU PANJIT 管状电机

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