【产品】内置ESD防护的60V/300mA N沟道增强型MOSFET-2N7002K-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002K-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为300mA。
图1 封装图
2N7002K-AU特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<3Ω
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<4Ω
先进的沟槽技术
高密度单元设计，超低的导通电阻
关断状态下，极低漏电流
专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计
2KV HBM ESD 防护
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
2N7002K-AU机械参数：
外壳：SOT-23封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0003盎司，0.0084克
2N7002K-AU最大额定值和热特性：
2N7002K-AU电气特性：
订购信息：
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强茂（PANJIT）Small Signal MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-60~600,ID(A)：-0.75~0.6,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1450~700000等。强茂开发了不同封装的一系列小信号MOSFET有助于减小电子设备的尺寸，适合驱动电路和讯号线路开关，微型化封装适合用于高整合性的PC板。
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ1938
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Small Signal MOSFET
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DFN1006-3L
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New Product
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-
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ESD
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N
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Single
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50
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20
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0.6
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1450
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1950
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4000
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6000
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32
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1.5
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1.7
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选型表 - PANJIT 立即选型
电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1537
现货： 2,930
品牌：PANJIT
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价格：￥0.0900
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价格：￥0.1090
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现货： 670
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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