【选型】TMR线性磁传感器替代霍尔器件,可显著改善电流传感器的灵敏度和温度特性
主要产品:多维科技TMR2501、TMR2503、TMR2505、TMR2101、TMR2102、TMR2103、TMR2701,TMR2703、TMR2705、TMR2905、TMR2922线性传感器
性能优势:(1)工作温度区间:-55℃~+150℃,传感器温度特性稳定;(2)灵敏度范围广,从0.25mV/V/G ~ 60mV/V/G;(3)低功耗,低磁滞
电流传感器是在电气绝缘的状态下,利用电流所产生的磁场来检测电流值的一种介于高、低电压之间的界面器件。如图所示,可分为开环式电流传感器和闭环式电流传感器。
无论开环式还是闭环式电流传感器,磁传感器都是其中的关键器件,对传感器性能优劣起着至关重要的作用。目前市场上的电流传感器主要是采用传统的霍尔器件,由于半导体材质自身原因,霍尔器件的温度漂移量较大,一致性差,尤其在低温区变化剧烈,难以进行统一校准。动态失调消除技术的采用可部分改善霍尔器件的温度漂移,但在电路中叠加了高频噪声干扰,造成电流传感器的输出信号失真,影响整机性能。
隧道磁电阻(TMR)器件是继霍尔器件、各向异性磁电阻AMR和巨磁电阻GMR之后的新一代磁敏器件,具有低功耗、低温漂及高灵敏度的特点。在电流传感器中,采用TMR替代霍尔器件,可显著改善电流传感器的灵敏度和温度特性。
基于TMR的优异性能,闭环电流传感器可显著改善其温度漂移量。替代后,无需任何温度补偿,电流传感器在-40~85℃的温度范围内的温度漂移总量即可由原来的1~2%降至0.1~0.2%。在使用温度宽泛的场所如变频器、伺服器、电动车辆等应用时,TMR闭环电流传感器可确保在任何地区、任何季节的电流测量的精准度;特别是在风能、太阳能等新能源行业中,电流传感器的温度漂移可直接导致逆变器输出电能中的直流成分的增加,不仅造成能源浪费,直流成分还会消耗在变压器绕组中,造成变压器过热。电流传感器温度漂移的改善,将会给能源行业带来直接的经济效益和必要的安全性。
多维科技生产的TMR2501、TMR2503、TMR2505线性传感器采用SSIP-4封装,在垂直方向测量磁场,与通行的霍尔器件完全兼容。对闭环电流传感器来说,电流传感器厂家只需改变一下磁传感器的偏置电阻值,无需更改PCB设计和产品结构既可直接替代霍尔器件。
多维科技生产的TMR2101、TMR2102、TMR2103、TMR2701、TMR2703、TMR2705、TMR2905 和TMR2922为平面方向测量磁场,配合使用纵向气隙磁芯。摆脱了断面气隙漏磁所带来的困扰,大大提升了磁芯的聚磁能力,使电流传感器的分辨率低至毫安量级,并有效遏制外来干扰。较之磁通门闭环电流传感器,TMR闭环电流传感器结构简单,抗干扰能力强,分辨率高。产品响应时间快,测量频带宽。
上图为闭环电流传感器的典型电路,其中原有的霍尔器件H1可以直接用TMR替代。通过调整偏置电阻R1和R2,使H1的1、3引脚间电压为1伏左右。例如:当电源电压为+/-15V,TMR输入电阻为6k欧姆时,若1、3引脚间电压为1V,则H1输入电流Id=1V/6k=0.17mA,偏置电阻R1及R2=(15-0.5)/0.17=85.3KΩ。
RA和RB为上下对称结构,用于调整传感器的失调值,建议采用相同系列电阻,以降低调整电阻与磁传感器之间的温度系数差异所带来的额外误差。
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获昆泰芯微电子授权,世强硬创代理高端3D磁角度传感器芯片等产品
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多维科技(MDT)磁传感器芯片和模组选型指南
描述- 江苏多维科技有限公司(MDT)创立于2010年,公司总部座落于江苏省张家港保税区,是一家专注于磁性传感器的制造商。多维科技拥有400余项专利,200多款磁传感器产品和先进的磁( TMR/GMR/AMR)传感器量产晶圆产线,可批量生产、供应各类高性能磁传感器,以满足客户多元化的应用需求。
型号- AMR3108G,GE-T,TMR2705,TMR1202HT,TMR2703,TMR7401-600MA,USB2510-CAL01-800,TMR6406L,USB21023,USB25103,TMR1102,TMR1302H,TMR1343,TMR1342,AMR3108AP,TMR1341,TMR1348,TMR3002,TMR7204,TMR3004,AMR4020,TMR1345,TMR3005,AGVTMR45XS,TMR7504-B,USB2510A,TMR6406X,TMR3001,TMR1340,TMR13DX,TMR7553-B,AGVTMR25XC,LPS-TMR125B4,GE-A,TMR2602,TMR3105AP,AMR3013P,TMR6401,AMR4010,AGVTMR25X4,TMR6218LA,TMR9112,TMR2305M,TMR2605,TMR6206D,TMR2604,LPS-TMR125A4,TMR1366,TMR6206L,TMR7903,TMR2613,TMR4M06,TMR7502,AGVTMR46XS,TMR4M07,TMR4M08,TMR4M02,TMR4M03,TMR4M04,TMR4M05,TMR1362,TMR9002,TMR6217LA2,TMR9001,AMR2501,USB27053,TMR7554-B,TMR7401-1000MA,TMR2103,TMR4007,USB2705A,TMR2102,TMR6306,AGVTMR15XN,TMR2503,TMR4003,TMR2623,TMR4004,AGVTMR15XP,TMR2105,TMR2501,TMR4005,TMR2104,TMR4006,AMR3003L,TMR4001,TMR4002,TMR1252,FSD-TMR1005,TMR7502-C,TMR2109,TMR2505,TMR2901,TMR2108,TMR2905,FSD-TMR1006,TMR4018,TMR6318,TMR2111,AGVTMR45LC,TMR1304,TMR4014,TMR1303,TMR4015,AMR4100,TMR1148,TMR1302,TMR4016,TMR4017,TMR1302HT,TMR4011,TMR4012,TMR7401,TMR4013,TMR2110,TMR1383,TMR1262,TMR3105G,TMR6212LA,TMR7555-B,TMR7303-D,TMR7551-B,TMR7401-300MA,AMR1507,TMR-MAC005,TMR1308,TMR6401C,TMR1305,TMR6218XA,TMR1309,TMR1157,TMR2003,AMR3001,TMR1155,TMR2001,TMR6209,TMR1202H,TMR62082,TMR2005,AMR3005,AMR3008,TMR7503-B,TMR2009,TMR2922,AMR4050,TMR2653,AGVTMR46LC,TMR7204-C,TMR1287,TMR7303,TMR1202,TMR7302,AMR2302,TMR6404X,TMR1283,TMR1162,TMR7556-B,TMR3102P,TMR7302-D,TMR6403A,TMR6318C,TMR7552-C,TMR1208,TMR1206,USB2510T,AGVTMR360C,TMR1212,AMR1320,TMR2701,TMR6501,TMR1215,TMR1341XD,TMR1213,TMR7551
多维科技传感器芯片选型表
多维科技传感器芯片选型表提供TMR磁开关传感器芯片,TMR角度传感器芯片,TMR线性磁场传感器芯片,TMR齿轮传感器芯片,AMR磁开关传感器芯片,AMR角度传感器芯片,AMR线性磁场传感器芯片,AMR磁栅传感器芯片,薄膜型温度传感器芯片选型,基于单极、双极锁存、全极等类型,0~40V供电电压等、多种输出接口和敏感方向等。
产品型号
|
品类
|
兼容型号
|
类型
|
供电电压(V)
|
功耗(nA、μA、mA)
|
工作模式
|
敏感方向
|
B_op(Gs,25°C)(Gs)
|
B_rp(Gs,25°C)(Gs)
|
输出接口
|
封装形式
|
TMR1102
|
TMR磁开关传感器芯片
|
—
|
单极
|
1.8~5.5 V
|
1.5μA
|
连续供电
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X轴
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17
|
13
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CMOS
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SOT23-3
|
选型表 - 多维科技 立即选型
新型TMR传感器可测量50mA至2000A的电流,磁增强半导体技术开发商授权世强先进代理
CT45x可测量50mA至2000A的电流,噪音性能低至0.55 mVRMS,77dB的高信噪比让系统可以用更高准确度处理更高分辨率的数据。
公司动态 发布时间 : 2022-09-01
MDT——The Leading Supplier of TMR Magnetic Sensors Brochure
型号- CN203894395U,CN202119391U,CN202916902U,TMR2705,TMR2704,TMR2703,TMR703H,WO2015014248 A1,CN102297652B,TMR3002,CN103913183A,CN104301851A,CN103968918A,TMR3001,WO2014190943 A1,MMS2X1H,CN202119390U,MIS6318,WO2014206351 A1,EP2818884A1,CN203119864U,CN104065367A,CN203940940U,TMR1350,MMG245D,CN203203607U,MMG245F,US20140300348A1,MIS6309,MMA253F,2015-511705,MIS6301,EP2790030A1,CN202121565U,MMGC45D,CN104197827A,US20140327437A1,WO2014190909 A1,TMR705,CN102208530B,TMR703,MMG345F,CN203116756U,CN102169133B,MMS201H,CN104021411A,CN102298124B,CN104197828A,TMR2103,TMR4007,CN204129826U,TMR2102,TMR2101,CN203300354U,TMR2503,TMR4003,TMR4004,MMG845D,TMR2501,TMR4005,TMR4006,CN104280700A,TMR4001,TMR4002,TMR1251,TMR1250,MMS101H,CN103968860A,TMR2505,CN103915233A,TMR2905,CN102621504B,2015-513667,TMR1303,TMR1302,TMR1301,CN102968845A,CN203083663U,EP2801834A1,WO2014190907 A1,CN203133257U,EP2827165A1,CN202230192U,MMG145F,WO2015010620 A1,TMR1308,TMR1306,TMR1305,2014-529743,TMR1309,CN203083583U,WO2015010649 A1,TMR6209,TMR6206,MMLP57F,MMLP57H,TMR6201,MMLH45F,MMS1X1H,MMA233F,CN204043603U,TMR2922,CN102790613A,TMR1201,TMR6218,TMR1202,CN204043604U,2014-532883,EP2752676A1,CN203038357U,2015-503735,TMR501,CN103995240A,US20150130445A1,TMR6201D,US20150091560A1,MMG445D,TMR2701,CN103925933A,WO2015014277 A1
服务
可定制烧结NdFeB磁铁的剩磁最高1.45T,易加工成各种尺寸。充磁方向:径向充磁、轴向充磁、辐射充磁等;镀层:Zn、Sn、Ni、电泳等,最高工作温度220℃。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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