强茂二代SGT MOSFET获亚洲金选奖2022年度最佳Power IC奖，有效优化电源模块效率

时间： 2022-12-14 来源：PANJIT官网

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由电子工程领域专业媒体《EE Times》与《EDN》出版集团ASPENCORE台湾与亚洲团队主办之第二届「EE Awards Asia 亚洲金选奖」颁奖典礼于2022年12月8日举行；亚洲金选奖设置五大类别──企业奖、产品奖、新创奖、人气奖与推荐奖——共计22个奖项，聚集了来自全球137家企业、超过400份提名角逐各奖项。

PANJIT二代SGT MOSFET荣获亚洲金选奖2022（2022 EE Awards）的＂年度最佳Power IC奖＂。

PANJIT推出的第二代SGT MOSFET（100V）透过优化芯片制程设计使其产品的RDSON和QG达到业界最低，优异的FOM质量，使其产品能优化电源模块效率。此系列封于多种功率封装里且因其优异的电性特性，亦能应用于需求高耐压低FOM的DC-DC转换器线路上，如工业电源系统、通讯电源系统等。

强茂股份有限公司在分离式组件领域拥有最完整IDM资源，业务涵盖晶圆设计、制造、封装测试到销售自有品牌产品。持续不断地投入创新与研发，结合生产自动化能力与制造技术优化，主要产品有MOSFET、SiC diode、FRED、整流桥、二极管、萧特基二极管、TVS、ESD和BJT，透过全球市场布局与营销战略，致力于绿能应用市场发展，电动车、风力发电、太阳能及储能系统等产业。系统认证有ISO 9001、IATF 16949、ISO 14000、ISO45001、IECQ QC080000 and ESD S20.20。落实环境友善管理、关怀员工与贡献社会，提升企业永续发展，实践2040年碳中和的环境永续目标。

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通用整流二极管桥式二极管肖特基势垒二极管快速恢复二极管晶闸管双向晶闸管硅双向触发开关浪涌吸收器瞬态浪涌抑制器功率MOSFET 电源模块电源芯片

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