【产品】60V/6.6A N沟道增强型MOSFET PJW7N06A，专为负载开关、PWM设计
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了SOT-223封装的PJW7N06A（60V/6.6A）N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJW7N06A N沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@10V, ID@6A<34mΩ
•RDS(ON), VGS@4.5V, ID@3A<40mΩ
•先进的沟槽工艺技术
•专为负载开关，PWM等应用设计
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJW7N06A N沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：SOT-223封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.043盎司，0.123克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)10V
|
Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
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低压MOS
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SOT-23
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P
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Single
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-30V
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12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
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98mΩ
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443pF
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-1.3V
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11nc
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