【技术】一文解析IGBT关断过程

时间： 2021-10-21 来源：SLKOR

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搞电力电子的对IGBT可能再熟悉不过了，全称绝缘栅双极性晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（绝缘栅型场效应管）和BJT（双极性晶体管）组成的复合全控型功率半导体器件，俗称电力电子装置的“CPU”，通过十几伏的门极控制信号，即可实现kV级电压和kA级电流的控制，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛。

但是你真的了解IGBT吗？本文SLKOR将介绍IGBT的关断过程，在开始之前，先抛出一个问题，大家可以考虑一下，图1展示了IGBT关断门极电阻和电压尖峰的关系：

图1. IGBT关断过压与门极电阻关系

增加IGBT的门极关断电阻，电压尖峰反而增加？是不是和我们想象的不一样。

我们再来看下IGBT关断电阻与关断损耗的关系，通过图2可以看出IGBT的关断电阻对关断损耗的影响甚微。

图2. IGBT关断损耗与门极电阻关系

从以上两张图片可知，通过门极电阻影响IGBT关断特性似乎并不理想，然而事实确实如此，那就没有解决方法了吗？方法肯定是有的，先卖个关子，等后面再说！

本文先简单了解IGBT的关断过程，从根源上分析一下导致上述现象的原因。

要想了解IGBT的关断过程，有必要对IGBT的工作原理做简单回顾，前面已经提到IGBT是由MOS和BJT组成的功率器件。图1展示了NPT型IGBT的内部结构和等效电路，我们都知道IGBT属于双极性器件，即电子和空穴均参与导电。假设流过MOS的电子电流为In，流过pnp晶体管的空穴电流为Ip，那么流过IGBT的集电极电流Ic=In+Ip。

图3 IGBT等效电路

根据晶体管的工作原理可知，PNP晶体管的集电极电流Ip与基极电流In之间存在如下关系：

其中，βpnp为晶体管的共射极电流放大系数，αpnp为晶体管的共基极电流放大系数。需要注意的是IGBT集电极一侧的PNP晶体管，仅仅是在结构上等效为PNP晶体管，在性能上和实际用于电流放大的晶体管相差甚远。真实的晶体管能起到电流放大作用，即Ip>>In，而对于IGBT，电子电流In和空穴电流Ip基本相当。

说完晶体管，再来说说MOS，我们都知道MOS属于电压控制型器件，MOS的沟道电流In在开关过程中与门极电压有如下关系：

式中，Kp为与器件结构和载流子特性相关的系数，Vge,th为阈值电压。

说到这里大家可能有点明白了，我们控制IGBT门极电压实际上控制的是内部MOS，直接受影响的就是电子电流In，而空穴电流Ip和门极电压Vge并没有直接的关系。

回到主题，让我们再来看看IGBT的关断过程，通常情况下根据IGBT的外特性可以将其关断过程分为5个阶段，如下图所示：

图4. IGBT关断外特性

阶段1（t0-t1）：栅极电容放电，门极电压以指数形式下降至弥勒平台电压值Vgep。

阶段2（t1-t2）：弥勒平台阶段，门极电压基本保持不变，Vgep电压取决于负载电流大小，栅电流给弥勒电容充电，集电极电压略微上升。

阶段3（t2-t3）：集电极电压上升阶段，IGBT集电极电压Vce迅速上升至母线电压。同时门极电压由弥勒平台Vgep下降至阈值电压Vge,th，门极完全关断。

阶段4（t3-t4）：集电极电流下降阶段，IGBT集电极电压已经上升至母线电压Vdc，与IGBT相对应的二极管进入正向导通阶段，负载电流由IGBT迅速转移至二极管。电流Ic迅速下降至拖尾电流，由于杂散电感存在，集电极电压有一定的电压过冲。

阶段5（t4-t5）：拖尾电流过程，该阶段电流下降的快慢主要由器件的载流子寿命所决定。

可能会有人提出疑问，为什么在电流开始下降时，栅极就关断了？好多论文给的图是在IGBT集电极电流下降到0时，栅极才会关断啊。这些图对于简单的理解IGBT开关特性是没有什么问题的，严格来说确实有点问题，但是大家也不要太过纠结，事实上我们很难测试IGBT栅极到底是什么时候关断的。

下面从内部机理层面再来描述一下IGBT的关断过程：

首先看一下IGBT关断之前内部载流子的分布情况，图5对应图4中t0时刻以前，即通态下IGBT内部载流子的分布情况。在这里我们主要讨论N-基区内的载流子分布，因为IGBT的开关特性主要受N-基区载流子影响。通态下，N-基区充满了电子和空穴，因此该区域也可以称为载流子存储区(Carrier Storage Region，CSR )或等离子区（Plasma）。通态过程中，IGBT内部基区电子电流和空穴电流大致为3：1，主要是因为在同样的条件下，电子的迁移率是空穴迁移率的3倍。

图5. t0时刻以前载流子分布

当在IGBT栅极施加一个为零或负的偏置电压时，器件进入关断过程。首先，随着门极电压的减小，由N+源区经MOS沟道注入到N-基区的电子电流逐渐减少，而此时外部的集电极电流受负载电感影响保持不变，因此IGBT模块内部电子电流和空穴电流将偏离其原有的平衡状态。图3描述了该阶段IGBT内部N-基区载流子的变化情况，对应图4 中 t0-t3时间段载流子分布，其中N-基区左侧的CSR区域依然存在大量电子和空穴对。N-基区右侧为空间电荷区(Space Charge Region，SCR )，该区域内没有剩余载流子，也可以称为耗尽层，在IGBT关断过程中该区域承载电压，SCR区域内电子电流逐渐减小，而空穴电流逐渐增大。

图6. t0-t3时间段载流子分布

当IGBT的栅极电压继续减小至阈值电压Vgeth时，内部MOS导电沟道完全关断，In1为0，切断了PNP晶体管的基极电流。PNP晶体管的发射极将不再向N-基区注入空穴，图7对应IGBT关断外特性的t3时刻，该时刻空间电荷区的电子电流为0，负载电流完全由空穴电流Ip1维持，而CSR区域的电子和空穴依然存在。

图7. t3时刻载流子分布

当IGBT集电极电压Vce上升至母线电压时，集电极电流迅速下降，IC的下降速率由器件自身特性决定，将不再受门极控制。图8对应图4中的t3-t4时间段。该阶段完成后，CSR区域还剩下少量载流子，剩余载流子的消除主要由自身复合率决定，对外呈现为拖尾电流。

图8. t3-t4时间段载流子分布

讲到这里大家可能明白了，IGBT集电极电流下降速度是否能由门极控制，关键在IGBT电流下降阶段，MOS沟道注入的电子电流是否还起作用。在这里我们可以用公式来描述IGBT的关断下降速率：

通过公式不难发现，要想在关断的时候控制集电极电流下降斜率，In1必须要有一定的话语权才可以，如何才能增加MOS沟道电子电流的比重呢？

有两种方法，一种是减缓IGBT的关断速度，另一种是向门极注入电子电流。两种方法目前都在IGBT门极驱动上均有较好的应用。减缓关断速度又有哪些方法呢? 增加电阻当然可以，但是带来的关断延时或损耗都非常大，得不偿失；另一种方法就是采用有源驱动技术，只在IGBT电流下降阶段，采取措施减缓IGBT的关断速度，该方法能够在开关延时、过压和损耗之间取得较好的折中。那向门极注入电流又是怎么实现的呢？这就是我们常说的集电极电压有源钳位技术。

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MASPOWER(麦思浦)IGBT/MOSFET/FRD模块/AC-DC电源转换器/IC选型指南

描述- 公司专注于电压800V—4700V超高压MOSFET细分领域系列化开发，解决客户缺芯问题，主要服务工业电源，光伏储能，仪器仪表，医疗电源，国网电力电源等行业。

型号- ESTF75SS120US,MS18N20FD,ESTF80D40U,MS10N100FB,ESTF15SS60UD,MS24N80HCE0,ESTF15SS60UC,MS10N100FA,ESJ75SH120AN,ESTF8SS80RM,EST120BN40SN,MS8N100FS,MS9N120HGT0,MS8N100FT,ML0841DR,MS10N100FS,MSG100D350FH,ESTF15SS60UP,OP37,MSG50N350FH,MS7N80HGD0,MSG50N350HLC0,MSC393F1,74HC595,MS18N20FT,ESQ100QN60SN,LM324N,MS100N20HGC0,MS40N25HGE0,MS9N150H2,MS20P06FD,MS9N150H1,ESTF75D60FB,ESTF30SS12XI,ESTF10D20SR,MS20N100HGC1,ESTF15SS60SC,MS60N60HGB3,MS20N100HGC0,OP200,MS1N450HGC5,MS1N450HGC4,ESG100QN60SN,MSG25T120FQC,MS160N03FDT,ESTF80N60UB,EST60BN120SN,ESTF8SS195UP,MS7N80FCD,MS8N100FE,MS8N100FC,MS60N60HGC1,MS8N100FA,MSG50T65FQC,MS8N100FK,MSG40T65HHC0,MSG40T120FQC,MS4N1350,MS65N070DD1,UC2844AN,MS100N06HDD0,MS3N100HGB2,MS170N25HGF4,MSG100T65HLB3,MS12N165HGC0,MS210N085FTD,ESTF30SS20SI,OPA2277,OP90,MS60N350DD1,ESTF40D30U,OP77,MS10N100HGE0,MS3N100HGC0,MS20N85ICT1,ESD150PC120SN,MS7N120HGE0,MS20N85ICT0,OP497,ESTF60D20UE,MSG100T65HLC6,MS12N150HGC0,MS12N150HGC1,MS9N170HGC0,MSG100T65HLC1,MS9N170HGC1,MS40N65FCC,ESC150PC60S,MS12N100FT,MS3N100HGD1,MS3N100HGD0,MS12N100FS,ESTF8SS120C,ESTF8SS120D,MS12N100FE,MS24N50FB,MS5N100FD,MS5N100FE,MS15N165HGC0,ESTF8SS120P,MS12N100FC,MS12N100FA,ESD4204,ESTF8SS120S,MS4N120HGD0,MS10N100HGC0,UC3140BN,MS15N150HGC0,MS15N150HGC1,MS50N100HGF4,MSG100D350FHS,ESTF80D33U,MS3N100HGE0,MSG75D65HFC0,MS26P20HGC0,ESD200NC60K,ESG80QN60SN,UC3140BD,ESD150NC60K,MSG15T65FL,MSG75T65HHC0,ESB150NH60SN,MSG75C65HHC0,MSG15T65FLE,MS15N100HGC0,MS120N03IDD0,MS2N100HGT0,MSG160T65HLC1,ESTF45D60U,MSG15T65FLT,MS18N50FB,MSG50T120FQW,MS5N100FT,MS6N100FA,PWM1220YBN,MS35N120HGF4,MS15N100HGB2,MS100N20IDT0,ESTF60D33U,MS6N100FE,MSG30T65HHT1,MS6N100FC,MSG50D60HLE0,ESTF50SS135US,MS17N060FD,MS6N100FS,MS6N100FT,MS10N120HGC0,OP282,ESTF25D60U,MS8N120FT,MS8N120FS,MS120N08FT,ESC100NS120SN,MS3P03HDF3,MS5N170HGB2,ESTF100SS60S,MS12P060FT,ESTF100SS60U,ESJ100SH60N,ESQ150QN60SN,MS5N200HGC0,MSG75T65HFC0,MSG70T170HLB3,MSG75T65HFC6,ESTF30SS120U,LM3580DR,MS10N120HGE0,MS15N170HGC0,ESC100PC60SN,MS10N40HGT0,ESC100PS120SN,ESTU30Q60SN,MSC339F1,EST100BN120SN,MS90N25HDT0,MS8N120FE,MS8N120FC,ESTF30SS120C,MS150N25HGC0,ESD150PC60KN,MSG15T120HLC0,MS24N20FDT,MS4N1350W,ESTF60D33E,MS4N1350T,MS4N1350S,MS28N20HGT0,MSG80N350FQC,ESTF45H120UU,UC3525ADW,MS180N10FC,MS200N20IDC0,MC3846ADW,ESTF60D20U,ESTF60SS120US,MS4N250HGC0,MS24N20FDE,MS4N1350E,ESTF60SS40SS,ESJ100SH60AN,MS6N120FD,MS15N120HGC0,MS6N120FC,OP07C,MS9N150HGC0,MS4N350HGC0,MS15N120HGC1,MS6N120FT,MSG06T65FLD,MS6N120FS,ESTF25D20SB,MS6N120FE,MSG60T65HHC0,MS210N075FE,MS170N65HGF4,MS3N200HGC0,ESTF30SS60SE,MS30N90ICE0,ESTF20D20SB,MS2P06HDF0,UC2844,MSG50T120FHW,PWM820F,ESTF30SS60SC,MS9N150H,MS5N250HGC5,LF356,MC3846AN,ESTF30SS60SS,ESTF75D60U,MS50N20FC,MS9N120HGE0,MSG120T65HLC1,MC34063ADW,ICL7135MU,MSC431F1,MSG120T65HLC6,MSG120T120HLC1,ESB100NH60SN,ESD200PC60KN,AD620,MS20N65FCC,MS20N65FCE,AD623,MSG100T120FQW,MSG120T120HLB3,ESB150NH40SN,ESTF60SS160US,PWM834F,UC3845BD,PWM858F,MS9N20FD,MS8N80FS,MSG75T120FQC1,MSG20T120HLE0,MSG40T65HPC0,MS50N65FC,MS38N65FCC,MS33N10FT,MS65N065DD1,MSG80N350HLC0,MS12N120HJC0,MSK2225,MS40N25HGT0,ESTF75D60UC,MS30N95HGC0,MSG60T65HFC0,MS140N30HGB3,MSG200T65HLC1,ESD150NC60KN,ESD150NS60K,MS4N400HGC4,MS10N100HGT1,MS160N080FDT,MSG30T120FQC,LM3241DR,MS5HB06NB,ESTF20D30SU,UC3844AN,MS7N120HGT0,MS13N20HGD0,MS50N85IDC0,MS25N85ICE0,MSG50T65HHC0,MS3P02FBF,UC3845BN,MS20N85ICC0,MS100N20FC,MS2N3660,MS18N100HGC0,MS30N90ICC0,ESD200PS60SN,ESTF15SS120S,UC3843BD,MS4N120HGT0,MS170N15IDC0,MS3N100HGT1,MS3N100HGT0,ESTF60SS60US,MS120N10FE,ESD150NS60SN,ESTF80D60UB,MS140N30HGC0,MS1N470HGC0,ESC100NC60SN,MS1N470HGC5,MSG60T120FQW,MS120N10FT,OPA2604,ESD200NS60S,ESTF15SS120C,ESTF15SS120E,MS33N20HGC0,MSF18N65,MS2N100HGD0,MS60N06HGB0,MS30N100HGC0,MS340N07HGF4,MS30N100HGC1,MS290N10HDC0,MS10T60HLC0,MSG50N350FQC,MSG80N350FH,PWM815Y,MSG80N350FL,MSG100T65HLF4,MS100N20IDC0,MSG20T65FQC,ESF30SS120U,MSN4686,MSN4689,UC3525AN,MSN4688,MSG15T120FPE,MSG15T120FPC,MSG15T120HLT1,ESF30SS120C,MSG20T65FQS,MS1N400HGC0,ESC150NC60S,MS30N50HGC0,MS5N100,MS2N200HGC0,EST75BN60S,MSG80T65HHC0,MS37N90ICC0,MS30N06FD,MS53N065FDT,MSG120T65HLC1V,MS20N85FCS,MSG30T65FT,MSG30T65FS,MS8N90ICD0,MS15N100HGT0,MS15N100HGT1,MSG200T65HLB3,MS20N85FCC,MS50N06HDT0,ESB100NH40SN,MSG100T100FLN,MS170N15IDF4,MS25N50FB,MS100N04HDT0,MSG80N60FQC,MSF18P65,MSC75176F1,MS120N25HGC0,ESTF45H180UU,MS1N200HGC0,PWM1018YBN,MS2N450HGC0,ESD150PS60SN,ESA300BN60SN,MSG75T120FQW,ESD150NC120SN,MS2N300HGC0,MS120N15FB,MS90N25HDE0,MS120N15FE,MS2N470HGC5,MSG75T65FQC,MS3N06FF,MS5N170FC,ESTF15SS135UC,MS12N120HGC0,MS120N15FT,MS1N350HGC0,MS6N150HGC0,MS20N60FC,MS20N60FB,MSG40T65FL,MS10N120HGT1,MS12N170HGC0,MSG80D60FLC,OP27,MSG100T120FQC1,MS20N50FS,OP400,EST100BN60SN,MSG100T100FQW,MS6N150HGB2,MS5N100S,ESTF90D20XU,MSG30D120FLB,PWM825Y,MS12N170HGC1,ESJ100SH120AN,LM4558,EST75BN120S,OP2177C,ESTF8SS60UC,MS1N250HGC4,MSG30T65FQC,UC3844,ESTF90D20XB,MS1N250HGC0,ESTF10D60US,MS2P1230,MS200N04FE,ESTF100D60SU,MS18P10FE,PWM812Y,MS05N250HGE0,MS2N400HGC0,LM358P,ESTF75SS135US

选型指南 - MASPOWER - 2024/6/5 PDF 中文下载

【技术】如何准确计算IGBT的驱动参数？

IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心。为了实现IGBT的通断，需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on，以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。因此，正确计算IGBT的驱动参数是保证其可靠通断的首要任务。

设计经验发布时间 : 2018-04-03

IGBT变频器应用系列C2&E3模块新产品发布

型号- MG600HF12TLC2,MG600HF12TLE3,MG600HF12MLC2

数据手册 - 扬杰科技 - 2024/4/26 PDF 中文下载

MASPOWER（麦思浦） IGBT选型表

MASPOWER（麦思浦）提供如下IGBT的技术选型，VCE [V]范围：+330~+1200；IC [A]范围：+6~+160;VCE(sat) [V]范围：+1.15~+4.5；Tf [ns]范围：+27~+224;Eon [mJ]范围：+0.13~+140；Eoff [mJ]范围：+0.08~+69，MASPOWER的IGBT拥有TO-220、D2PAK、TO-220F、TO-247等多种封装形式可以广泛用于焊接设备、工业控自动化、新能源、电动汽车、电源、智能物联等领域。

产品型号	品类	PKG	VCE [V]	IC [A]	VCE(sat) [V]	Tf [ns]	Eon [mJ]	Eoff [mJ]
MSG50N350FH	IGBT	TO-247	330	50	1.30	120	1.55	0.95

选型表 - MASPOWER 立即选型

走进长安，2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会圆满落幕，扬杰科技展示在汽车电子领域的最新成果

7月26日，为期两天的“2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会”在长安全球研发中心圆满落幕。作为行业领军企业，扬杰科技凭借其在半导体领域的深厚积累和汽车电子领域的持续创新，受邀参与本次大会。

厂牌及品类发布时间 : 2024-07-29

IGBT应用在那些地方呢？

IGBT应用范围按照领域的不同主要可以分为三大类：消费类，工业类，汽车类。IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器；IGBT模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车（电机控制器、车载空调、充电桩）等领域；而IPM模块应用于变频空调、变频冰箱等白色家电产品。

应用方案发布时间 : 2024-04-25

【经验】一文介绍IGBT单管与IGBT模块的区别

本文SLKOR介绍IGBT单管与IGBT模块的区别，IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级，它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，拓展了IGBT的应用领域。

设计经验发布时间 : 2022-01-22

ROHM（罗姆）IGBT选型指南（英文）

描述- ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.

型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW40TS65,RGW00TS65DHR,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,RGS50TSX2D,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGS60TS65HR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGWX5TS65DHR,RGTH00TS65D,RGT20NL65,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,RGTH40TK65D,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGW60TS65,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65

选型指南 - ROHM - Edition 2022 - 2022/8/3 PDF 英文下载查看更多版本

ROHM（罗姆）IGBT选型指南（英文）

目录- Field Stop Trench IGBT Ignition IGBT

型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW00TS65DHR,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGT8NS65D,RGW80TS65DHR,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGT50TM65D,RGW80TK65,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGS50TSX2D,RGT50NS65D,RGC80TSX8R,RGW00TK65D,RGW60TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS00TS65DHR,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGTH40TS65DHR,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGSX5TS65E,RGW80TS65HR,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGT20NL65,RGTH00TS65D,RGWX5TS65DHR,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGS50TSX2HR,RGT20NS65D,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGT00TS65D,RGTH40TS65D,RGS80TSX2D,RGSX5TS65EHR,RGTH40TK65D,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGCL60TS60D,RGW40TS65D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGTH50TK65D,RGTH60TS65,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65

选型指南 - ROHM - 2022/3/28 收起

【应用】汽车级单管IGBT用于电动汽车空调PTC加热器项目，可有效降低能耗

电动汽车的空调PTC加热器进行加热的原理是：电流流过PTC元件使之产生热量，低温时会流过大电流，产生大量热量，随着发热量的增加，电阻值增大，电流受限，从而抑制发热量。利用这些特性，可加热空气和水，并使之循环，从而成为制热用的热源。这里主要会用到IGBT作为主要开关器件，IGBT常处于导通状态，故需求的导通压降要低。本文推荐罗姆的RGS00TS65D作为300V电动汽车空调PTC加热器的开关器件。

应用方案发布时间 : 2019-10-23