【产品】-30V/±4.5A的P沟道小信号MOSFET RQ6E045RP，导通电阻最大值仅为35mΩ

时间： 2019-11-28 来源：ROHM

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ROHM公司近期推出了一款P沟道小信号MOSFET——RQ6E045RP，漏源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为±4.5A，导通电阻最大值仅为35mΩ（V_GS = -10V, I_D = -4.5A），导通损耗小且自身发热少。结温的最大额定值为150℃，工作结温和存储温度范围为-55~150℃，可以在温度苛刻的环境下长时间工作。且内置G-S保护二极管，是开关电路领域的不二选择。

图1 RQ6E045RP小信号MOSFET产品图及内部电路图

RQ6E045RP小信号MOSFET的脉冲漏电流最大额定值为±18A（脉宽不高于10μs），栅源电压最大额定值为±20V，能够有效的满足大功率电路设计的需求。RQ6E045RP耗散功率可达1.25W（安装在陶瓷基板上），具有高可靠性。此外，该功率MOSFET响应速度很快：其上升/下降时间分别为35/65ns。

RQ6E045RP产品特性：

低导通电阻

内置G-S保护二极管

小型表面贴装封装（TSMT6）

无铅电镀；符合RoHS标准

RQ6E045RP应用领域：

开关类应用

RQ6E045RP订购信息：

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