【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435，SOP8封装
AIT推出的AM9435是P沟道增强型MOSFET，使用高单元密度，先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。
除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM9435可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、VGS=10V时，连续漏极电流-5.8A、脉冲漏极电流-12A、耗散功率2.05W。工作结温和储存温度均为−55 °C∼ +150°C。
AM9435采用SOP8封装，其引脚分布图如下图所示：
特性：
-30V/-5.8A, RDS(ON)=38mΩ(典型值)@VGS=-10V
-30V/-4.0A, RDS(ON)=60mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
超高单元密度设计利于极低的RDS(ON)
优异的导通电阻和最大限度的直流电流能力
SOP8封装
应用：
笔记本的电源管理
便携设备
DSC
液晶显示逆变器
电池供电系统
DC/DC转换器
负载开关
订购信息：
P沟道MOSFET：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由爱分享的咪猫翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏源电压-30V的P沟道增强型MOSFET AM3401B，适用于极低的RDS(ON)
AiT推出的AM3401B是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±12V、连续漏极电流-4.2A。
产品 发布时间 : 2021-12-05
【产品】SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET AM2301A，支持-55~150℃宽温工作
AiT推出的AM2301A是一款P沟道增强型MOSFET。当环境温度为25℃时，该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±12V、连续漏极电流-4.7A、脉冲漏极电流-20A、最大耗散功率1.1W。
产品 发布时间 : 2021-12-16
【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET AM3407A，连续漏极电流为-4.3A
AiT推出的AM3407A是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则在环境温度为25℃时，AM3407A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、连续漏极电流-4.3A、脉冲漏极电流-20A、耗散功率1.5W。
产品 发布时间 : 2021-12-06
【产品】P沟道增强型MOSFET AM4185，漏源极电压-40V，栅源极电压±25V
AiT公司的P沟道增强型MOSFET AM4185，该系列器件坚固耐用，提供TO-220F封装，100％UIS+ RG测试，漏源极电压-40V，栅源极电压±25V。
新产品 发布时间 : 2019-10-28
【产品】SOT-23封装P沟道增强型MOSFET AM2317，导通电阻可低至48mΩ
AiT推出的AM2317是P沟道增强型MOSFET，导通电阻小，在25°C的环境温度下，可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为-4.6A，可以应用于笔记本电脑，便携式设备和电池供电系统的电源管理。
新产品 发布时间 : 2019-07-26
【产品】P沟道逻辑增强型MOSFET AM4409，适用于电池供电电路的高边开关电路
AiT推出的AM4409是P沟道逻辑增强型MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术生产，可以最大限度地降低通态电阻，可以用于高频负载点同步、DC-DC电源系统、负载开关以及电池供电电路中。
新产品 发布时间 : 2019-06-23
【产品】-20V/-3.0A或-2.0A的P沟道增强型MOSFET AM2301，采用SOT-23S封装
AM2301是AiT的一款P沟道增强型MOSFET，导通电阻小，可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±12V，在环境温度为 25℃时，可以承受的极限漏极连续电流大小为3.2A，功率耗散为1.0W，结温和储存温度范围为-55℃~150℃，适合用作负载开关或其他一般应用。
新产品 发布时间 : 2019-09-02
【产品】最大耗散功率1W的P沟道增强型MOSFET AM3419，连续漏极电流为-3.5A
AiT推出的AM3419是一款P沟道增强型MOSFET。当环境温度为25℃时，AM3419的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±12V、连续漏极电流-3.5A、300μs脉冲漏极电流-14.2A、二极管连续正向电流-1A、最大耗散功率1W。
产品 发布时间 : 2021-12-25
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论