【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435，SOP8封装

时间： 2021-11-18 来源：AiT

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P沟道增强型MOSFET,AM9435M8R,AM9435M8VR,AM9435

AIT推出的AM9435是P沟道增强型MOSFET，使用高单元密度，先进的沟槽技术，提供优良的R_DS(ON)，适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。

除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM9435可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、V_GS=10V时，连续漏极电流-5.8A、脉冲漏极电流-12A、耗散功率2.05W。工作结温和储存温度均为−55 °C∼ +150°C。

AM9435采用SOP8封装，其引脚分布图如下图所示：

特性：

-30V/-5.8A, R_DS(ON)=38mΩ(典型值)@V_GS=-10V
-30V/-4.0A, R_DS(ON)=60mΩ(典型值)@V_GS=-4.5V

超高单元密度设计利于极低的R_DS(ON)

优异的导通电阻和最大限度的直流电流能力

SOP8封装

应用：

笔记本的电源管理

便携设备

DSC

液晶显示逆变器

电池供电系统

DC/DC转换器

负载开关

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P沟道MOSFET：

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