【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435，SOP8封装
AIT推出的AM9435是P沟道增强型MOSFET，使用高单元密度，先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。
除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM9435可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、VGS=10V时，连续漏极电流-5.8A、脉冲漏极电流-12A、耗散功率2.05W。工作结温和储存温度均为−55 °C∼ +150°C。
AM9435采用SOP8封装，其引脚分布图如下图所示：
特性：
-30V/-5.8A, RDS(ON)=38mΩ(典型值)@VGS=-10V
-30V/-4.0A, RDS(ON)=60mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
超高单元密度设计利于极低的RDS(ON)
优异的导通电阻和最大限度的直流电流能力
SOP8封装
应用：
笔记本的电源管理
便携设备
DSC
液晶显示逆变器
电池供电系统
DC/DC转换器
负载开关
订购信息：
P沟道MOSFET：
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