UMS砷化镓，氮化镓工艺放大器的设计与分析
UMS是一家RF MMIC产品及晶圆代工服务的欧洲领导厂商，聚焦市场包括 防务，航空，通信，汽车电子和工业传感器。其工艺包括了砷化镓，氮化镓，锗硅，产品频率覆盖DC-100GHz，PA功率最高可达200W。
UMS的砷化镓，氮化镓工艺又可分为几类，其中较为成熟和主流的如下
pHEMT GaAs适用于低噪声放大器的工艺，包括PH25 PH15 PH10
适用于功率器件的工艺 包括 PPH25X PPH25 PPH15X
氮化镓的 GH25 即0.25um的HEMT GaN。 GH50和GH15也可提供，特点如下
ULRC技术介绍砷化镓无源应用在氮化镓混合工艺 ，一种高功率的无源技术，称为ULRC. 在UMS的4英寸砷化镓基片上开发。该技术包括两个用于线路互联的金属化层，air-bridge和穿过基板的通孔。为了设计紧凑，能提供175pF/mm2的MIM电容。
现有氮化镓产品，可提供从三极管到MMIC封装，非内匹配和内匹配等多种形式的产品
典型产品一；5.5-6.5GHz Doherty PA ,功率可达20W，两种DPA技术与传统的deep class AB PA的PAE测试对比如下
可以看出与传统的deep class AB PA 相比其PAE有明显的提升，此结果是在6.2GHz基础上测试得到的。
与其他Doherty 放大器的性能对比
典型产品二；L波段GaN工艺功率放大器PA，采用塑封工艺，功率可达100W，内部采用了双Die工艺，避免了使用大尺寸GaN MMIC的高成本。
包含GPS频段的1.2-1.4GHz功放，其PAE及增益见下图
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