UMS砷化镓,氮化镓工艺放大器的设计与分析
UMS是一家RF MMIC产品及晶圆代工服务的欧洲领导厂商,聚焦市场包括 防务,航空,通信,汽车电子和工业传感器。其工艺包括了砷化镓,氮化镓,锗硅,产品频率覆盖DC-100GHz,PA功率最高可达200W。
UMS的砷化镓,氮化镓工艺又可分为几类,其中较为成熟和主流的如下
pHEMT GaAs适用于低噪声放大器的工艺,包括PH25 PH15 PH10
适用于功率器件的工艺 包括 PPH25X PPH25 PPH15X
氮化镓的 GH25 即0.25um的HEMT GaN。 GH50和GH15也可提供,特点如下
ULRC技术介绍砷化镓无源应用在氮化镓混合工艺 ,一种高功率的无源技术,称为ULRC. 在UMS的4英寸砷化镓基片上开发。该技术包括两个用于线路互联的金属化层,air-bridge和穿过基板的通孔。为了设计紧凑,能提供175pF/mm2的MIM电容。
现有氮化镓产品,可提供从三极管到MMIC封装,非内匹配和内匹配等多种形式的产品
典型产品一;5.5-6.5GHz Doherty PA ,功率可达20W,两种DPA技术与传统的deep class AB PA的PAE测试对比如下
可以看出与传统的deep class AB PA 相比其PAE有明显的提升,此结果是在6.2GHz基础上测试得到的。
与其他Doherty 放大器的性能对比
典型产品二;L波段GaN工艺功率放大器PA,采用塑封工艺,功率可达100W,内部采用了双Die工艺,避免了使用大尺寸GaN MMIC的高成本。
包含GPS频段的1.2-1.4GHz功放,其PAE及增益见下图
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旺旺仔 Lv4. 资深工程师 2019-08-14学习了
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秀秀 Lv6. 高级专家 2019-08-14学习了
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产品型号
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品类
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工作频率(GHz)
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増益 (dB)
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P1dB (dBm)
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芯片尺寸 (mm)
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噪声系数 (dB)
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功耗 (V/mA)
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功能描述
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ZRL164
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低噪声放大器芯片
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4~7
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33
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16
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2.6X1.1
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1.2
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5/48 (单电源)
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C波段低噪放
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选型表 - 知融科技 立即选型
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【应用】增益达19dB的LNA低噪声放大器CHA2110-QDG助力X波段卫星通信系统设计,噪声系数仅1.2dB
在X波段卫星通信系统中,低噪声放大器是必不可少的重要器件,它位于射频接收系统的前端,将天线接收到的微弱射频信号进行线性放大,并抑制各种噪声干扰提高系统灵敏度,通常需要具备低噪声系数、高增益等特性。针对此,本文推荐采用UMS公司提供的两级自偏置宽带单片低噪声放大器CHA2110-QDG,其带宽为7GHz~12GHz,完全覆盖了X波段,线性增益典型值为19dB,噪声系数典型值为1.2dB。
应用方案 发布时间 : 2019-06-27
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